NMOSロジック
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NMOSロジック(N-type metal–oxide–semiconductor logic)は、論理回路とその他のデジタル回路を実装するためにn型MOSFET(金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ)を使用する[4]。 これらのn型MOSFETは、ソース端子とドレイン端子の間にあるp型半導体のボディの中に反転層を作ることによって動作する[5]。 n型チャネルと呼ばれるこの反転層は、n型半導体のソース端子とドレイン端子の間に電子を通すことができる。 n型チャネルは、ゲートと呼ばれる第三の端子に電圧を印加することによって作られる。 他のMOSFETと同様にn型MOSFETは、3つの動作領域を持つ。つまり、遮断領域(cut-off / subthreshold)、線形領域(linear / triode)、そして飽和領域(saturation / active)である[6][7]。
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- ^ "1978: Double-well fast CMOS SRAM (Hitachi)" (Semiconductor History Museum of Japan)
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- 2 NMOSロジックの概要
- 3 歴史
- 4 関連項目
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