低周波の特徴
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/07/03 06:07 UTC 版)
低周波および小信号の条件のもとでは、図1の回路は図2の回路で表すことができ、BJTのハイブリッドπモデルが使われる。入力信号は直列抵抗Rsのテブナン電圧源vsで表され、負荷は抵抗RLである。この回路を用いて、以下のベース接地増幅回路の特性を得ることができる。 定義式近似式条件開回路電圧利得 A v = v o v i | R L = ∞ {\displaystyle {A_{v}}=\left.{\frac {v_{\text{o}}}{v_{\text{i}}}}\right|_{R_{L}=\infty }} ( g m r o + 1 ) R C R C + r o {\displaystyle {\frac {(g_{m}r_{\text{o}}+1)R_{C}}{R_{C}+r_{o}}}} g m R C {\displaystyle g_{m}R_{C}} r o ≫ R C {\displaystyle r_{o}\gg R_{C}} 短絡回路電流利得 A i = i o i i | R L = 0 {\displaystyle A_{i}=\left.{i_{\text{o}} \over i_{\text{i}}}\right|_{R_{L}=0}} r π + β r o r π + ( β + 1 ) r o {\displaystyle {\frac {r_{\pi }+\beta r_{o}}{r_{\pi }+(\beta +1)r_{o}}}} 1 {\displaystyle 1} β ≫ 1 {\displaystyle \beta \gg 1} 入力抵抗 R in = v i i i {\displaystyle R_{\text{in}}={\frac {v_{i}}{i_{i}}}} ( r o + R C ‖ R L ) r E r o + r E + R C ‖ R L β + 1 {\displaystyle {\frac {(r_{o}+R_{C}\|R_{L})r_{E}}{r_{o}+r_{E}+{\frac {R_{C}\|R_{L}}{\beta +1}}}}} r e ( ≈ 1 g m ) {\displaystyle r_{e}\left(\approx {\frac {1}{g_{m}}}\right)} r o ≫ R C ‖ R L ( β ≫ 1 ) {\displaystyle r_{o}\gg R_{C}\|R_{L}\ \ \left(\beta \gg 1\right)} 出力抵抗 R out = v o − i o | v s = 0 {\displaystyle R_{\text{out}}=\left.{\frac {v_{o}}{-i_{o}}}\right|_{v_{s}=0}} R C ‖ ( [ 1 + g m ( r π ‖ R S ) ] r o + r π ‖ R S ) {\displaystyle R_{C}\|\left([1+g_{m}(r_{\pi }\|R_{S})]r_{o}+r_{\pi }\|R_{S}\right)} R C | | r o R C | | ( r o [ 1 + g m ( r π | | R S ) ] ) {\displaystyle {\begin{aligned}&R_{C}||r_{o}\\&R_{C}||\left(r_{o}\left[1+g_{m}\left(r_{\pi }||R_{S}\right)\right]\right)\end{aligned}}} R S ≪ r E R S ≫ r E {\displaystyle {\begin{aligned}R_{S}&\ll r_{E}\\R_{S}&\gg r_{E}\end{aligned}}} 注 平行線(||)は並列であることを示す。 一般的に、全体の電圧/電流利得は負荷効果により、上記の開回路/短絡利得（ソースおよび負荷抵抗に依存）よりも大幅に小さくことがある。
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