「真性キャリア密度」を解説文に含む見出し語の検索結果(1～10/26件中)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/03/20 09:30 UTC 版)「真性半導体」の記事における「真性キャリア密度」の解説真性半導体におけるキャリアは、価電...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 04:51 UTC 版)「不純物半導体」の記事における「キャリア密度」の解説ドーピングした不純物が全てイオン化し...
ナビゲーションに移動検索に移動 シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされたN型半導体。 シリコン(Si)中にホウ素(B)がドーピングされたP型半導体。不純物半導体（ふじゅんぶつはんどうたい）また...
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/26 17:30 UTC 版)「フェルミエネルギー」の記事における「半導体・絶縁体中の電子」の解説半導体や絶縁体の場合...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/06 14:46 UTC 版)「キャリア生成と再結合」の記事における「放射再結合」の解説放射再結合では、自然放出により...
真性半導体（しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor）とは、添加物を混ぜていない純粋な半導体のことを指す。しかし、実際には不純物などの欠陥は固体中に必ず存在す...
真性半導体（しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor）とは、添加物を混ぜていない純粋な半導体のことを指す。しかし、実際には不純物などの欠陥は固体中に必ず存在す...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/02/02 14:23 UTC 版)「有効状態密度」の記事における「半導体のキャリア密度」の解説伝導帯 E C {\disp...
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