ladıとは? わかりやすく解説

LADI

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2024/09/21 03:54 UTC 版)

LADI(: Laser-Assisted Direct Imprinting: LADI) はナノメートルオーダーの微細構造作成技術として期待されるナノ構造構築法の一手法。

概要

2002年にプリンストン大学のStephen Y. Chou達のグループが開発した[1][2]

ナノインプリント・リソグラフィ反応性イオンエッチングによって作製された石英の型をシリコン基板上にレーザーパルス光を照射して表面近傍を溶融させながら押し付けてパターンを転写する[2]

幅140nm、高さ110nm、長さ8~17μmの細線パターンの転写が確認され、反応性イオンエッチングで転写型の細線パターンに沿って作製した幅10nm、深さ15nmの溝の形状も転写できたとされる[2][1]

従来の高額な露光装置を使用せずに微細構造をシリコンウエハー上に250ns以下という極めて短時間で作成できるとされる。[2]

用途

長所

  • 従来のフォトリソグラフィで作成していた同規模の微細なパターンを比較的簡便な装置で作成可能。
  • 従来の半導体プロセスよりも工程数が少なく、広い面積を一度に転写できるので生産性が高い[2]

短所

  • 転写時の位置合わせ(アライメント)の精度が重要だが、加熱処理により、ウエハーと転写型の熱膨張等も考慮しなければならず、難易度が高い。
  • 転写時に転写対象に接触するので転写型のコンタミネーションによる汚染の可能性がある。
  • 大面積のシリコンウエハーにレーザー光を均一に照射する必要がある。

関連項目

脚注

  1. ^ a b Chou, Stephen Y., Chris Keimel., Jian Gu. "Ultrafast and direct imprint of nanostructures in silicon." Nature 417.6891 (2002): 835-837.
  2. ^ a b c d e f ナノスケールの“刻印”や“印刷”でナノデバイスの量産性を競う ─ 2002年8月の注目論文”. 2016年10月7日閲覧。

LADI

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/12/22 02:13 UTC 版)

次世代リソグラフィ」の記事における「LADI」の解説

詳細は「LADI」を参照 LADI:Laser-Assisted Direct Imprintingレーザー光使用して転写する。他の方式とは異なりステッパーのような高額装置不要

※この「LADI」の解説は、「次世代リソグラフィ」の解説の一部です。
「LADI」を含む「次世代リソグラフィ」の記事については、「次世代リソグラフィ」の概要を参照ください。

ウィキペディア小見出し辞書の「ladı」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。 お問い合わせ


英和和英テキスト翻訳>> Weblio翻訳
英語⇒日本語日本語⇒英語
  

辞書ショートカット

すべての辞書の索引

「ladı」の関連用語

ladıのお隣キーワード
検索ランキング

   

英語⇒日本語
日本語⇒英語
   



ladıのページの著作権
Weblio 辞書 情報提供元は 参加元一覧 にて確認できます。

   
ウィキペディアウィキペディア
All text is available under the terms of the GNU Free Documentation License.
この記事は、ウィキペディアのLADI (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。 Weblio辞書に掲載されているウィキペディアの記事も、全てGNU Free Documentation Licenseの元に提供されております。
ウィキペディアウィキペディア
Text is available under GNU Free Documentation License (GFDL).
Weblio辞書に掲載されている「ウィキペディア小見出し辞書」の記事は、Wikipediaの次世代リソグラフィ (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。

©2025 GRAS Group, Inc.RSS