小椋正気
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/08/07 10:20 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動| 小椋正気 | |
|---|---|
| 生誕 | 1941年2月2日（79歳） 福岡県 |
| 居住 | アメリカ合衆国 |
| 国籍 |  日本 |
| 研究分野 | 半導体 |
| 研究機関 | IBM |
| 出身校 | 早稲田大学、カリフォルニア大学ロサンゼルス校 |
| 主な受賞歴 | モーリス・N・リーブマン記念賞（1996年） |
| プロジェクト:人物伝 | |
小椋正気（Seiki Ogura、おぐら せいき、1941年(昭和16年)2月-）は、数多くの半導体製造技術（LDD、Halo LDD、サイドウォール、スペーサー、CMP、ダマシン）やmpu の開発に携わった半導体の世界的研究者。1996年にIEEEモーリス・N・リーブマン記念賞を受賞。IEEEフェロー。
略歴
1941年、福岡県大牟田市で生まれ、長崎県の大島で幼少期を過ごす。福岡県立修猷館高等学校を経て、早稲田大学理工学部に進む。1960年代、大学院在籍中に日本の半導体分野の発展を目指して単身で渡米。カリフォルニア大学ロサンゼルス校で量子力学、電子工学、マテリアルの3つの科目を専攻し、当時のUCLAで最短記録となる2年半でマスター＋Ph.D. の学位を取得。
米IBMにて数々の半導体技術の発明と開発をした後、独立。彼の発明は現在の半導体技術の基礎となり、幅広く応用されている。
受賞歴
- 1996年 - モーリス・N・リーブマン記念賞
論文
- 小椋正気, 「矛盾に見つける真理とチャンス」『応用物理』 1998年 67巻 8号 p.955-957, 応用物理学会, doi:10.11470/oubutsu1932.67.955
外部リンク
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