エピタキシャル成長
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/10/24 19:17 UTC 版)
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エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。
なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。
関連項目
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「エピタキシャル成長」の続きの解説一覧
- 1 エピタキシャル成長とは
- 2 エピタキシャル成長の概要
エピタキシャル成長と同じ種類の言葉
| 成長に関連する言葉 | 鋳鉄の成長 ホモエピタキシャル成長 エピタキシャル成長 渦巻き成長 スパイラル成長 |
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