しー・えむ・ぴー

デジタル大辞泉

シー‐エム‐ピー【CMP】

読み方：しーえむぴー

《Conference of the Parties serving as the Meeting of the Parties》⇒コップモップ（COP/MOP）

シー‐エム‐ピー【CMP】

読み方：しーえむぴー

《chemical-mechanical polishing》砥粒または研磨液がもつ化学成分の作用とともに研磨すること。シリコンウエハーの平坦化をはじめ、半導体製造における重要な工程の一つとなっている。化学機械研磨。

研磨用語集

CMP

しー・えむ・ぴー

化学的機械研磨技術　Chemical Mechnical Polishing （またはPlanarization) の略称。LSIデバイスの高速動作を狙って、デバイス製作後のウエハ面の各チップ上に電気回路を多層にわたって積み重ねる技術の総称でもある。そこでは多層配線の層間ガラス膜の平坦研磨、配線銅めっき膜の研磨などが必要であり、それらの研磨のメカニズムに化学作用を伴う機械的研磨があるとしている。米国のSami規格では、シリコンウエハの湿式メカノケミカルポリシングをケム・メカニカルポリシング(Chem. Mechanical Polishing)と称し、CMPで表す場合がある。