「RCA洗浄」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/42件中)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「付加的な段階」の解説ex-situな洗浄プロセスにおける第...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「第4段階: リンスと乾燥」の解説高純度薬品とクリーンなガラ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「標準レシピ」の解説ウェハーは脱イオン水に浸しておく。ウェハ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「第2段階: 酸化物層の除去」の解説(ベアシリコンウェハーに...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「第1段階 (SC-1): 有機物とパーティクルの除去」の解...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/11 05:23 UTC 版)「RCA洗浄」の記事における「第3段階 (SC-2):イオン汚染の除去」の解説最終段階と...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/08 05:45 UTC 版)「シリコンウェハー」の記事における「大まかな流れ」の解説現在のシリコンウェーハの大部分は...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/08/07 04:17 UTC 版)「半導体デバイス製造」の記事における「基板工程」の解説基板工程(フロントエンド、FEOL...
ナビゲーションに移動検索に移動半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス(酸化、拡散、化学気相成長)の前に行われる。RCA社のWerner Kernが1965...
ナビゲーションに移動検索に移動半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス(酸化、拡散、化学気相成長)の前に行われる。RCA社のWerner Kernが1965...
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