J. J. エバース賞とは? わかりやすく解説

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J. J. エバース賞

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2024/04/21 18:58 UTC 版)

エバース賞(The J. J. Ebers Award)は、電子デバイスの進歩を促進するために1971年に設立された賞。特にトランジスタに関する貢献により、電子デバイスの理解と技術を形成したジュエル・ジェームス・エバース英語版を記念するものである。毎年、電子デバイスの広い分野で、科学的、経済的、社会的に意義のあると認められた単一または一連の貢献をした1人または複数の個人に贈られる。受賞者には賞状と5、000ドルの小切手が授与され、IEEE国際電子デバイス会議において発表される。


  1. ^ 酒井 徹志(元 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻 教授)”. 2023年2月9日閲覧。
  2. ^ 岩井 洋 東京工業大学 名誉教授(2015- )”. 東京工業大学. 2023年2月9日閲覧。
  3. ^ a b c d e Past J.J. Ebers Award Winners”. IEEE Electron Devices Society. Institute of Electrical and Electronics Engineers. 2019年9月16日閲覧。
  4. ^ a b c d e f g J.J. Ebers Award, Institute of Electrical and Electronics Engineers, オリジナルの3 February 2014時点におけるアーカイブ。, https://web.archive.org/web/20140203011244/http://eds.ieee.org/jj-ebers-award.html 2017年2月3日閲覧。 
  5. ^ IGNIS founder Arokia Nathan wins the 2020 IEEE EDS J.J. Ebers Award”. IGNIS (2020年10月16日). 2024年4月21日閲覧。
  6. ^ Conduction Threshold in Accumulation-Mode InGaZnO Thin Film Transistors”. Nature (journal) (2016年). 2024年4月21日閲覧。
  7. ^ Portilla, L., Loganathan, K., Faber, H. et al. Wirelessly powered large-area electronics for the Internet of Things.年 - Nat Electron 6, 10–17 (2023)


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