出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/07/18 10:17 UTC 版)
「半導体の低消費電力技術」の記事における「リーク遮断SRAM」の解説
SRAMセルの待機保持の間は、接地電位を高めてリーク電流を削減する。
※この「リーク遮断SRAM」の解説は、「半導体の低消費電力技術」の解説の一部です。
「リーク遮断SRAM」を含む「半導体の低消費電力技術」の記事については、「半導体の低消費電力技術」の概要を参照ください。
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