空乏層 空乏層の概要

空乏層

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2018/06/30 01:42 UTC 版)

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概要

半導体PN接合部分やショットキー接合MOS接合において見られる、電子正孔(キャリア)のほとんど存在しない領域。多数キャリアを欠くことで帯電し、電気二重層と内蔵電場を形成する。キャリアの移動に対しては1種の障壁として作用する。 空乏層の幅は印加電圧によって変化する。正方向に電圧をかけることによって縮小または解消する。逆方向に電圧をかけた場合には、その範囲が広がり、電子の移動を妨げる。 厚みが1nm前後またはそれ以下になるとトンネル効果を示す。ダイオードトランジスタなど各種の半導体素子で利用される。

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