磁気抵抗メモリ
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磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。
- ^ “TOGGLE MRAM: FIRST GENERATION MRAM”. エバースピン・テクノロジーズ. 2014年10月1日閲覧。
- ^ ハードエラーとは文字通り、破損や寿命などで素子が正常に動作できなくなることを意味する。対してソフトエラーはその時点で記憶していた情報は失われるが、素子の電源を入れ直したり情報を書き込み直したりすれば元通り使用できるようになる
- ^ “Freescale、MRAMの製品化を実現”. ITmedia ニュース. (2006年7月11日)
- ^ Press Release 1Gb CS Availability Final.pdf
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「磁気抵抗メモリ」の続きの解説一覧
- 1 磁気抵抗メモリとは
- 2 磁気抵抗メモリの概要
- 3 実用
- 4 外部リンク
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