CCDイメージセンサの構造改善による低スミア化
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/04/20 05:27 UTC 版)
「スミア」の記事における「CCDイメージセンサの構造改善による低スミア化」の解説
発生した不要な電荷を半導体基板の裏側に掃出すようにp型半導体の基板の下層にn型半導体層を設ける方法がある。これは後述するブルーミング対策としても有効であり、良く使用される方法である。
※この「CCDイメージセンサの構造改善による低スミア化」の解説は、「スミア」の解説の一部です。
「CCDイメージセンサの構造改善による低スミア化」を含む「スミア」の記事については、「スミア」の概要を参照ください。
Weblioに収録されているすべての辞書からCCDイメージセンサの構造改善による低スミア化を検索する場合は、下記のリンクをクリックしてください。

- CCDイメージセンサの構造改善による低スミア化のページへのリンク