SRAM
フルスペル：Static Random Access Memory
読み方：エスラム
読み方：エスラム
SRAMとは、読み込み、書き込みが可能なメモリ（RAM）の一種で、一時的にデータを保持するための揮発性メモリのことである。
SRAMは、トランジスタをいくつか組み合わせた順序回路（フリップフロップ回路）で構成されており、「0」と「1」でデータを記憶する。SRAMでは、トランジスタを複数個使うため、消費電力が大きく、大きさも大きくなってしまうが、高速動作が可能となっている。このため、キャッシュメモリによく利用される。
RAMの種類としては、SRAMの他にDRAM（Dynamic Random Access Memory）がある。DRAMは、トランジスタ1個とコンデンサ1個で構成されており、このコンデンサに蓄電するか否かによって「0」か「1」を記憶する。
Static Random Access Memory
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/01/30 15:13 UTC 版)
Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。
注釈
- ^ そのような動作モードを設計としてハードウェア的に持っている製品もある。
出典
- ^ Sergei Skorobogatov (June 2002). Low temperature data remanence in static RAM. University of Cambridge, Computer Laboratory 2008年2月27日閲覧。.
- ^ A 160 mV Robust Schmitt Trigger Based Subthreshold SRAM
- ^ United States Patent 6975532: Quasi-static random access memory
- ^ United States Patent 6975531: 6F2 3-transistor DRAM gain cell
- ^ 3T-iRAM(r) Technology
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「Static Random Access Memory」の続きの解説一覧
- 1 Static Random Access Memoryとは
- 2 Static Random Access Memoryの概要
- 3 用途・用例
- 4 種類
- 5 脚注
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