ホットキャリア注入とNORフラッシュメモリセル
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/26 07:00 UTC 版)
「ホットキャリア注入」の記事における「ホットキャリア注入とNORフラッシュメモリセル」の解説
ホットキャリア注入はEPROMセルなど多くの不揮発性メモリの動作の基本となる。ホットキャリア注入が回路の信頼性に悪影響すると認識されると、回路性能を損なうこと無くそれを低減するための製造戦略が考案された。 NORフラッシュメモリはゲート酸化膜に意図的にキャリアを注入してフローティングゲートを帯電させることにでホットキャリア注入を使っている。この電荷はMOSトランジスタロジック「0」状態を表す閾値電圧を変化させる。帯電してないフローティングゲートは「1」状態を表す。NORフラッシュメモリセルを消すことは、Fowler–Nordheimトンネル効果によって蓄えられた電荷を除去することに対応する。 通常のNORフラッシュ動作による酸化膜のダメージのため、ホットキャリア注入ダメージは書き込み消去サイクルに制限を与える。酸化物の電荷を持つ能力とダメージトラップの形成は、離散的な1と0の電荷状態を持つ能力に影響を与える。よってホットキャリア注入ダメージによって徐々に不揮発性メモリロジックマージンウィンドウを閉じられる。1と0がもはや区別できない書き込み消去サイクルの数は、不揮発性メモリの耐久性を定義する。
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