フラッシュメモリ
【英】Flash Memory
フラッシュメモリとは、電気的にデータを書き換えることが可能で、電力を供給しなくてもデータを保持することができる(不揮発性の)半導体メモリである。コンピュータの外部記憶装置などに用いられている。
不揮発性の半導体メモリとしてはEEPROMが先立って開発されており、フラッシュメモリはこのEEPROMの改良によって登場した記憶媒体である。両者の主な違いは、EEPROMはデータをバイト単位で書き換えるが、フラッシュメモリは数十キロバイト程度のデータを「ブロック」の単位でまとめて扱う、という点である。フラッシュメモリのデータを書き換える場合、当該データだけでなく、当該データを含むブロックを消去する必要がある。他面、フラッシュメモリはデータの消去に必要な装置をブロックごとに共有できるため、単位容量あたりの回路構成を簡素化することができる。このため、製造コストの低下と、面積あたりの記憶容量の大容量化が実現される。
フラッシュメモリは回路構造によって「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」に区分される。NAND型フラッシュメモリは書き込みが高速で、大容量化しやすいという特徴がある。NOR型フラッシュメモリには、読み込みが高速であり、信頼性が高いという特徴がある。SSDやUSBメモリのように価格とデータの書き込みに重点が置かれる記憶媒体にはNAND型フラッシュメモリが多く用いられ、電子機器の制御プログラム(ファームウェア)のように書き込みよりも読み出しに重点が置かれる記憶媒体にはNOR型フラッシュメモリが多く用いられている。
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フラッシュメモリ
フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/07/04 14:20 UTC 版)
フラッシュメモリ(英: Flash Memory)は、浮遊ゲートMOSFETと呼ばれる半導体素子を利用し、浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータ記録を行う不揮発性メモリである。東芝の舛岡富士雄が発明した[1][2]。データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、写真のフラッシュをイメージしてフラッシュメモリと命名された[3]。
注釈
出典
- ^ “世紀の発明「フラッシュメモリーを作った日本人」の無念と栄光(週刊現代) @gendai_biz”. 現代ビジネス. 2022年5月31日閲覧。
- ^ “残念な東芝で「フラッシュメモリーの父」は活かされなかった”. ダイヤモンド・オンライン (2017年5月29日). 2022年5月31日閲覧。
- ^ http://www.takeda-foundation.jp/reports/pdf/ant0104.pdf
- ^ Jonathan Thatcher, Fusion-io; Tom Coughlin, Coughlin Associates; Jim Handy, Objective-Analysis; Neal Ekker, Texas Memory Systems (April 2009). NAND Flash Solid State Storage for the Enterprise, An In-depth Look at Reliability. Solid State Storage Initiative (SSSI) of the Storage Network Industry Association (SNIA). オリジナルの14 October 2011時点におけるアーカイブ。 2011年12月6日閲覧。.
- ^ “Taiwan engineers defeat limits of flash memory”. phys.org. 2016年2月9日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
- ^ “Flash memory made immortal by fiery heat”. theregister.co.uk. 2017年9月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
- ^ “Flash memory breakthrough could lead to even more reliable data storage”. news.yahoo.com. 2012年12月21日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
- ^ Richard Blish. "Dose Minimization During X-ray Inspection of Surface-Mounted Flash ICs" Archived 20 February 2016 at the Wayback Machine.. p. 1.
- ^ Richard Blish. "Impact of X-Ray Inspection on Spansion Flash Memory" Archived 4 March 2016 at the Wayback Machine.
- ^ “SanDisk Extreme PRO SDHC/SDXC UHS-I Memory Card”. 2016年1月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年2月3日閲覧。
- ^ “Samsung 32GB USB 3.0 Flash Drive FIT MUF-32BB/AM”. 2016年2月3日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年2月3日閲覧。
- ^ (3)【フラッシュメモリー編】 長期間放置するとセル内の情報が消える《データ消失の謎》 - PC Online
- ^ 【福田昭のセミコン業界最前線】 NANDフラッシュメモリの信頼性を保つ技術 - PC Watch
- ^ (3/5)100年持たせるデータ保存術 - 【フラッシュメモリー】長期間の放置でデータが消える - ITpro
- ^ IEDM 2008 - フラッシュメモリにも中性子線ソフトエラーが発生
- ^ a b “NOR FLASH FAQS - KBA222273 - Cypress Developer Community”. サイプレス (2018年3月26日). 2018年6月7日閲覧。
- ^ “MemCon Tokyo 2007レポート(フラッシュメモリ編)”. Impress Watch / PC Watch. 2013年3月5日閲覧。
- ^ SSDの耐久性 - Hewlett-Packard
- ^ 寿命を迎えたフラッシュメモリのレポート - USBメモリの書き換え限界寿命が来ると何が起きるのか、実際に寿命が来たケースをレポート - GIGAZINE
- ^ IntelとMicronがマルチレベルNANDフラッシュの不良を解析 - PC Watch
- ^ フラッシュATAメモリーカード - Weblio辞書
- ^ メモリーカードの価格が大暴落中! - All About
- ^ 東芝、300億円の営業赤字に 08年中間決算 - 47news
- ^ 東芝,NANDフラッシュ・メモリの赤字は通期で390億円 - 日経BP TechOn
- ^ フラッシュメモリー製造 米国NASDAQ上場Spansion Inc.子会社 Spansion Japan株式会社 会社更生法の適用を申請 負債741億円 - 帝国データバンク
- 1 フラッシュメモリとは
- 2 フラッシュメモリの概要
- 3 制約
- 4 保持期間
- 5 インタフェース
- 6 参考文献
フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/17 12:30 UTC 版)
「ソリッドステートドライブ」の記事における「フラッシュメモリ」の解説
「フラッシュメモリ」も参照 通常は複数個のメモリチップが使用され、データを記憶する。コントローラチップとフラッシュメモリチップのダイの仕様が同じであれば、他の要因でボトルネックに達するまでは、同時にアクセス出来るダイの実装数が多い大容量製品でより書き込み速度が高くなる。 2018年現在、SSD内部の記憶用半導体素子には大記憶容量が比較的容易に得られるNAND型フラッシュメモリが使用されている。 記憶領域についてはフラッシュメモリ同様、積層プロセスを用いて3次元フラッシュメモリ等を記憶チップとして利用し、更なる容量単価の減少と総容量の増加が予定されている。 HDDのような機構部品を持たず、半導体のみにより構成されるSSDは、高集積化の技術的余地が大きく、今後の市場の要求次第では極めて高集積度の不揮発性の記憶装置が作られる可能性がある。SSDだけに限らず、MRAMやFeRAM、ReRAMのような半導体型記憶装置すべてに今後の高集積度化の可能性があるが、NAND型フラッシュメモリは既に製品化されていて記憶容量の集積密度も遜色がないという点で他よりは比較的現実性が高いと考えられる。 現在、3次元セル積層技術が有望な技術として注目されている。。例えば東芝は実装面積が18mm×14mmの128GバイトSSDを試作した。これを16個使用すれば1.8インチHDDのパッケージ内に2Tバイトの製品が作れることになる。この試作品では16個の容量32GビットのNANDフラッシュメモリチップと1個のコントローラオップを25μmまで薄く削り、17枚をeMMCパッケージに積層実装した 。 2012年6月には中央大学がReRAMとNANDフラッシュメモリを組み合わせたSSDのアーキテクチャを開発した。現時点で量産研究段階にある不揮発性メモリReRAMは、フラッシュメモリより大幅に高コストであるが、読み書きが大幅に高速であるため、キャッシュに用いる事により、SSDの全体としてのスループット向上(高速化)、低消費電力化、長寿命化に資するという。 SSDのコストの約80%を占めるNAND型フラッシュメモリ半導体が安価に大容量化出来れば、販売価格は安く出来る。現状のSLC型を4値による2ビット/セルのMLC型にするだけでなく、既に8値による3ビット/セルのTLC型が実用化されており、また、プロセスルールの微細化によって大容量化が図られている。多値化や微細化によって書き換え回数が減少するが、周辺技術でカバーし切れるのかという問題がある。例えば、90nmのSLC型では書き換え可能回数は10万回程度だったものがMLC型 (2bit/cell) の50nm世代では2万回以下に、TLC型40nm世代や2009年-2010年から量産が始まる予定の30nm世代では1万回以下(3,000回という予測もある)にまでなる。 記憶素子の構造による種類 使用するフラッシュメモリの構造により、1つの記録素子に1ビットのデータを保持するSLC型(Single Level Cell)型や、2ビット以上のデータを保持するMLC型(Multi Level Cell)、TLC型(Triple Level Cell)、QLC型(Quad Level Cell)が存在する。各構造の詳細についてはフラッシュメモリのページを参照。 SLC型はその書き込み速度と書き換え可能な上限回数が大きいことにより、サーバ向けや産業用の組み込み装置など、信頼性向上や保守頻度の低減を優先し、コスト高がある程度許容される用途で普及している。 SLCとMLCを混用した製品も存在する。Samsungの技術者によるとコントローラの設定で同じセルをSLCにもMLCにも使用することが可能で、製品に両方を設定しSLC部分をキャッシュとしてMLC部分を主記憶部分とするEVOシリーズがある。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/09/14 14:54 UTC 版)
「日本の発明・発見の一覧」の記事における「フラッシュメモリ」の解説
フラッシュメモリ(NOR型、NAND型の両方)は、1980年頃に東芝に勤務していた舛岡富士雄博士によって発明された。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/18 05:01 UTC 版)
現在はUSB接続タイプが主流。SSDも普及しつつあるが、長期のバックアップにはまれである。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/12/12 23:57 UTC 版)
詳細は「フラッシュメモリ」を参照 フラッシュメモリは、基本的にはEEPROMそのものである。しかし、一般のEEPROMと異なった構造に工夫があり、また消去の単位をブロックまたはページと呼ばれる単位として、密度と扱いやすさのバランスを取ったメモリである。EEPROMよりも記憶容量が大きくできることなどもあり、1990年代ごろからパーソナルコンピュータのBIOSチップなどをEEPROMから置き換えた他、2000年前後からはデジタルカメラなど電子機器でハードディスクが適さないものなどに多用されるようになり、メモリーカードの類が生産されるようになった。200x年代中旬以降はUSBストレージ(USBメモリ、いわゆるUSBスティック)として比較的小容量のストレージが、SSDとして比較的大容量のストレージが、主にノートパソコン等用を中心に大量生産されるようになった。 構造によりNAND型とNOR型に分けられる。NOR型はランダムアクセスが高速で、1バイト単位の読み出しが可能である。NAND型は連続な読み書きが高速だが、ランダムアクセスはNOR型より遅い。NAND型はNOR型より集積度を高くでき、同じ大きさのシリコンであれば記憶容量をより大きくできる。 NOR型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。 Atmel インテル Macronix マイクロン・テクノロジ Silicon Storage Technology (SST) スパンション STマイクロエレクトロニクス NAND型フラッシュメモリのメーカーは次の通りである。 ハイニックス半導体 インテル マイクロン・テクノロジ キマンダ ルネサス エレクトロニクス サムスングループ スパンション STマイクロエレクトロニクス 東芝
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/02/08 15:29 UTC 版)
最近ではフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを挿入するスロットを備えているものもある。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/15 03:22 UTC 版)
フラッシュメモリタイプのプレーヤー。本体に内蔵したメモリにデータを蓄積する。 iFP シリーズiMPシリーズ後のiriver第2期の主力製品となった。 一部のシリーズを除いて三角形断面(プリズム形状)・単三型(LR6)乾電池仕様(二次電池対応)であり、韓国の公式サイトでその重さを「ゲマッサル」1列分と表現したことから、日本では一部から「カニかま」の俗称で呼ばれるようになった。Philips製チップ搭載。転送は専用ツールを使うManagerバージョンと、OSで書き込みが可能なUMSバージョンをファームウェアの切り替えで選ぶことができた。Xtreme3D、FMラジオや録音機能が充実しており、販売終了後も根強い人気があった。なお、iFP-700シリーズのマイナーチェンジモデルがF700シリーズとして再発売されていた。iFP-100 (Prism) iFP-300 (Craft) iFP500 (MasterPiece) iFP-700/800 (Craft 2)初期ロットにホワイトノイズが入るという不具合が発生したため2004年7月15日より対策品と交換を開始した。 iFP-900 (MasterPiece 2) iFP-1000 (Prism Eye) iriverプリズム(iFP-100シリーズの名称を変更したもの) F700(iFP-704T) (外部マイク対応、4GB) Nシリーズ - ネックレスタイプN10 (256MB/512MB/1GB) - Philips製チップ搭載し、iFPシリーズ以外のフラッシュメモリタイプの機種で唯一Xtreme3Dに対応。 N11 (256MB/512MB/1GB) N12 (1GB/2GB) N15 JEWEL (2GB/4GB) Tシリーズ - iFPシリーズの事実上の後継機種T10 (Music Clip) (単三電池対応、512MB/1GB/2GB) T20 (Metro Look) (512MB/1GB) T30 (Craft 3) (単四電池対応、256MB/512MB/1GB/2GB) T50 (単三電池対応、1GB) T60 (単四電池対応、2GB/4GB) T7 (VOLCANO / Stix) (USBプラグ内蔵、1GB/2GB/4GB) T6 NEON (2GB) T5 (ストップウォッチ機能搭載、4GB) T8 Candy Bar (2GB/4GB) T9 (4GB) HシリーズH10 Jr. (512MB/1GB) Eシリーズ - Hシリーズの事実上の後継機種E100 (4GB/8GB + 増設microSDカード) E50 METAL (4GB) E150 (4GB/8GB) E30 MATTE (2GB/4GB/8GB) E300 (4GB/8GB) E40 (4GB/8GB) Clix (U) シリーズ - 一部ナップスターサービス対応U10 (256MB/512MB/1GB) - 充電・データ転送および入出力拡張にTTA-24規格の端子を採用。 U10 ペ・ヨンジュンSE (512MB) clix (2GB) U:MO (モバHO!対応、1GB) Clix2 (2GB/4GB/8GB) LPlayer (2GB/4GB/8GB) SPINN (eストア限定、4GB/8GB) Sシリーズ - 超小型タイプS7 (1GB) S10 (1GB/2GB) S100 Panorama (8GB/16GB) Mplayer (1GB) - ミッキーマウス型、ウォルト・ディズニー公認ライセンス商品 Mplayer Season2 (1GB) Mplayer+ (2GB) Mplayer SWAROVSKI (1GB) MPlayer eyes (2GB) Xシリーズ - フォトアルバム機能搭載、動画対応X20 (2GB/4GB/8GB内蔵 + 増設microSDカード) - Joytoto社とのコラボでJoytoto製である。 Bシリーズ - モバHO!対応B20 (1GB) B100 (4GB/8GB) Astell&Kernシリーズ - Hi-Fi/ハイレゾ音源対応オーディオプレイヤー 詳細は「Astell&Kern」を参照
※この「フラッシュメモリ」の解説は、「アイリバー」の解説の一部です。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/16 14:26 UTC 版)
東芝は、舛岡富士雄を中心にフラッシュメモリの開発を進め、1980年にNOR型フラッシュメモリを、1986年にNAND型フラッシュメモリを発明した。
※この「フラッシュメモリ」の解説は、「キオクシア」の解説の一部です。
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フラッシュメモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/11 09:45 UTC 版)
フラッシュメモリに関しては、当時東芝の舛岡富士雄が1980年(昭和55年)に発明し、続いて1984年にNOR型、更に1986年には大容量化が容易なNAND型も開発している。しかし東芝はDRAMの高度化に集中していたため、ライセンスを受けて全社的に投資した米インテルに市場シェアを失うこととなった。以降東芝も本格的に参入したが技術ライセンシングを止めなかった結果、米韓メーカーを筆頭に競合が増えて利潤を得るのは難しく、2000年よりは米サンデイスク社(現・ウェスタンデジタル傘下)と提携して共同で設備投資を行ってきた。 2015年に発覚した粉飾決算事件以降、事業部門を東芝メモリ(現・キオクシア)として分社化し、過半数の株式を売却している。
※この「フラッシュメモリ」の解説は、「東芝」の解説の一部です。
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