「エピタキシャル成長」を解説文に含む見出し語の検索結果(11～20/125件中)
読み方：ぶんしせんえぴたきしー高真空下で金属などの材料を蒸発させ、ビーム状の分子線を生成し、基板に照射することで結晶成長を促す手法。真空蒸着の一種。集積回路製作のためのエピタキシャル成長に利用される。
読み方：ぶんしせんえぴたきしー高真空下で金属などの材料を蒸発させ、ビーム状の分子線を生成し、基板に照射することで結晶成長を促す手法。真空蒸着の一種。集積回路製作のためのエピタキシャル成長に利用される。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/21 01:24 UTC 版)「ジョレス・アルフョーロフ」の記事における「研究領域」の解説1962年より、ヘテロ接合半...
格子整合（こうしせいごう）とは、二つの材料の格子定数が一致することである。例エピタキシャル成長においては、基板とエピタキシャル層（薄膜）の格子定数を一致させる必要がある。格子整合しない場合には、結晶中...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/13 15:31 UTC 版)「HBT」の記事における「構造および製造方法」の解説主にエピタキシャル成長とイオン注入で...
別名：エピタキシャル成長【英】epitaxyエピタキシとは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。エピタキシで得られる薄膜...
別名：エピタキシ【英】epitaxial growthエピタキシャル成長とは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。エピタ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/12/03 06:25 UTC 版)「ゲルマン (化合物)」の記事における「半導体産業における利用」の解説ゲルマンは約600...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/03 10:01 UTC 版)「ヘテロ接合 (半導体)」の記事における「結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）」の解説...
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