「high electron mobility transistor」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/15件中)

1980年(昭和55年)、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...
1980年(昭和55年)、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...
1980年(昭和55年)、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...
読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
ナビゲーションに移動検索に移動グラフェン電界効果トランジスタ(グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET)は、グラフェンを用い...
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Intel 8080(1974年)は、NMOSロジックで作られた[1]。3つの電源+12V,+5V,-5Vが必要であった[2]。MC6800(1974年)の前期版は、デ...
ナビゲーションに移動検索に移動この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。出典検索?: "高電子移動度トランジスタ"...
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