「GAAS」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/652件中)

一般的に、金属と半導体間の接合により、互いの仕事関数の差から生じる障壁。GaAs FET では、ゲート電極とGaAs 間の接合により生じる。
読み方:がんだいおーどガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生するガン効果を利用した、マイクロ波発振素子。
読み方:がんだいおーどガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生するガン効果を利用した、マイクロ波発振素子。
読み方:がんだいおーどガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生するガン効果を利用した、マイクロ波発振素子。
読み方:がんだいおーどガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生するガン効果を利用した、マイクロ波発振素子。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/06/13 15:31 UTC 版)「HBT」の記事における「構造および製造方法」の解説主にエピタキシャル成長とイオン注入で...
読み方:がんこうかガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生する現象。1963年に米国IBM社のJ=B=ガンが発見。ガンダイオードというマイクロ波発振素子はこの効果を利用した...
読み方:がんこうかガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生する現象。1963年に米国IBM社のJ=B=ガンが発見。ガンダイオードというマイクロ波発振素子はこの効果を利用した...
読み方:がんこうかガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生する現象。1963年に米国IBM社のJ=B=ガンが発見。ガンダイオードというマイクロ波発振素子はこの効果を利用した...
読み方:かごうぶつはんどうたい2種以上の元素からなる半導体。シリコンやゲルマニウムのように単一の元素ではなく、窒化ガリウム(GaN)、ガリウム砒素(GaAs)のように、化合物として半導体の性質をもつも...
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