「GAAS」を解説文に含む見出し語の検索結果(11~20/652件中)

読み方:かごうぶつはんどうたい2種以上の元素からなる半導体。シリコンやゲルマニウムのように単一の元素ではなく、窒化ガリウム(GaN)、ガリウム砒素(GaAs)のように、化合物として半導体の性質をもつも...
読み方:かごうぶつはんどうたい2種以上の元素からなる半導体。シリコンやゲルマニウムのように単一の元素ではなく、窒化ガリウム(GaN)、ガリウム砒素(GaAs)のように、化合物として半導体の性質をもつも...
読み方:はんどうたいちょうこうし蒸着や分子線エピタキシーの技術により、一原子毎に積層させた半導体の超格子。原子の種類や積層の厚みを制御することで、さまざまなバンド構造をもつ半導体超格子をつくることがで...
読み方:はんどうたいちょうこうし蒸着や分子線エピタキシーの技術により、一原子毎に積層させた半導体の超格子。原子の種類や積層の厚みを制御することで、さまざまなバンド構造をもつ半導体超格子をつくることがで...
読み方:はんどうたいちょうこうし蒸着や分子線エピタキシーの技術により、一原子毎に積層させた半導体の超格子。原子の種類や積層の厚みを制御することで、さまざまなバンド構造をもつ半導体超格子をつくることがで...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/07/01 07:45 UTC 版)「ヒ素」の記事における「ヒ素の化合物」の解説アルシン (AsH3) カコジル ((CH3...
ある一定周波数における、利得の温度における変動量。温度が高くなるとGaAs FET の小信号利得は、0.012 ~0.015 dB/ °C程度、減少する。 したがって、多段時の利得変動は以下のように求...
ある一定周波数における、利得の温度における変動量。温度が高くなるとGaAs FET の小信号利得は、0.012 ~0.015 dB/ °C程度、減少する。 したがって、多段時の利得変動は以下のように求...
長期間にわたって特性が劣化しない最大の入力電力。 モジュールに過入力が長時間印加されると、GaAs FET のショットキー・ゲート接合部に大きな電流が流れ、ゲートの機能が徐々に悪化し、バーン・アウトに...
長期間にわたって特性が劣化しない最大の入力電力。 モジュールに過入力が長時間印加されると、GaAs FET のショットキー・ゲート接合部に大きな電流が流れ、ゲートの機能が徐々に悪化し、バーン・アウトに...




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