短チャネル効果
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/04/03 00:06 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下、速度飽和、ホットキャリア劣化などがある[1][2]。
参考文献
- ^ F. D’Agostino, D. Quercia. “Short-Channel Effects in MOSFETs”. Template:Cite webの呼び出しエラー:引数 accessdate は必須です。
- ^ Principles of Semiconductor Devices. 7.7. Advanced MOSFET issues
関連項目
- チャネル長変調
- 逆短チャネル効果
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