原子層エッチング
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/07/01 16:47 UTC 版)
原子層エッチング（げんしそうエッチング、Atomic Layer Etching：アトミックレイヤーエッチング、略称ALEもしくはALEt）とは、ウエハの最表面原子層にのみ作用する化学修飾工程と、化学修飾された部分のみを除去するエッチング工程を交互に繰り返すことによって、原子層単位でのエッチングを行う半導体製造工程における技術である。なお、略称にALEtと使われることがあるのは、ALD発展初期の名称がAtomic Layer Epitaxy、略称ALEであり、混同を避けるためである。
- ^ Oehrlein, G. S. (2015-03-27). “Atomic Layer Etching at the Tipping Point: An Overview” (英語). ECS J. Solid State Sci. Technol 4: N5041-N5053. doi:10.1149/2.0061506jss.
- ^ “Atomic Layer Etch now in Fab Evaluations”. 2014年8月4日閲覧。
- ^ Puurunen, Riikka L. (2014-12-01). “A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola's Atomic Layer Epitaxy” (英語). Chemical Vapor Deposition 20 (10-11-12): 332–344. doi:10.1002/cvde.201402012. ISSN 1521-3862.
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