バルクマイクロマシニング
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2016/09/11 17:38 UTC 版)
バルクマイクロマシニングとは、MEMS(マイクロマシン)作製技術の一つ。 基板もしくは厚膜(数十μm以上)を加工してMEMSデバイスを作製する技術の総称。(参考:サーフェイスマイクロマシニング)
主にSOI(Silicon On Insulator)ウエハや基板そのものを加工してデバイスを作製する。
従来は水酸化カリウム(KOH)や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを用いたウエットエッチングによる加工が主流であったが、ICP-RIEによる深掘りエッチングが可能となり、これが主流となった。 ボッシュプロセスの発明により、シリコンに対する垂直な深掘りエッチングが可能となった。
加工技術の種類
LIGAプロセス
ウエットエッチング
異方性(結晶面に依ってエッチング速度が違う事を利用。アルカリ性のエッチング液を使う場合が多い)
- 水酸化カリウム(KOH)
- TMAH
等方性
ドライエッチング
- 反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)
- 誘導結合プラズマRIE(ICP-RIE:Inductive Coupled Plasma-RIE)
その他
関連事項
- ICP-RIE
- サーフェイスマイクロマシニング
- MEMS
- マイクロマシン
- ボッシュプロセス(Bosch process)
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