MOSFET
(金属酸化膜半導体 から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/04/11 08:40 UTC 版)
MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFET[注釈 1]やMISFET[注釈 2]がMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。
注釈
出典
- ^ 「微細MOSFETとパワーMOSFETの違い」 [1]
- ^ 佐野昌 2009.
- ^ 「パワーMOSFETを使った設計 よくある問題や故障モードの回避方法」著者: ピーター B. グリーン（infineon） 18ページ
- ^ 大豆生田 利章「アーリー電圧の導出について」『群馬高専レビュー』第28巻、国立高等専門学校機構群馬工業高等専門学校、2009年、19-23頁、doi:10.51030/krev.28.0_19。
- ^ a b MOSFETのボディーダイオードとは (マクニカ)
- ^ 西久保靖彦 2003.
[続きの解説]
「MOSFET」の続きの解説一覧
- 金属酸化膜半導体のページへのリンク
