アンチモン化アルミニウム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/10/03 01:08 UTC 版)
アンチモン化アルミニウム（アンチモンかアルミニウム、Aluminium antimonide、AlSb）は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300 Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。
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- ^ K Seeger and E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 doi:10.1088/0268-1242/6/4/013
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