ウィキペディア |
 
|
III-V族半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2010/09/06 13:05 UTC 版)
III-V族半導体（さんごぞくはんどうたい）は、III族元素とV族元素を用いた半導体である。2種類以上の元素を組み合わせた半導体を化合物半導体と呼び、III-V族化合物半導体とも呼ぶ。代表的なIII族(13族)元素としてはアルミニウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族(15族)元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)である。この他、ボロン(B)、タリウム(Tl)、ビスマス(Bi)もそのIII-V族化合物半導体を構成する元素である。 またV族元素として窒素を用いたGaN（窒化ガリウム）、AlN（窒化アルミニウム）、InN（窒化インジウム)等を特に窒化物半導体と呼ぶ。
[続きの解説]
「III-V族半導体」の続きの解説一覧
- 1 III-V族半導体とは
- 2 III-V族半導体の概要
III-V族半導体と同じ種類の言葉
| 半導体に関連する言葉 | IIVI族半導体 N形半導体(エヌがたはんどうたい) IIIV族半導体 ワイドギャップ半導体 個別半導体(こべつはんどうたい) |
| 導体に関連する言葉 | シリコン半導体 高イオン伝導体 IIIV族半導体 アヘン誘導体 ワイドギャップ半導体 |
III-V族半導体のページへのリンク
