「後方散乱電子」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/40件中)

バルク状の結晶試料に電子線が入射したとき、後方散乱電子により菊池パターンが形成される現象。SEMにおけるEBSDの場合は、この後方散乱電子回折を利用した結晶方位解析の手法を意味する。関連する用語電子線...
バルク状の結晶試料に電子線が入射したとき、後方散乱電子により菊池パターンが形成される現象。SEMにおけるEBSDの場合は、この後方散乱電子回折を利用した結晶方位解析の手法を意味する。関連する用語電子線...
乱数を利用して事象を確率的にシミュレーションする方法。SEMでは、試料中での入射電子・後方散乱電子の散乱、特性X線の発生・吸収などのシミュレーションに用いられている。関連する用語後方散乱電子特性X線...
乱数を利用して事象を確率的にシミュレーションする方法。SEMでは、試料中での入射電子・後方散乱電子の散乱、特性X線の発生・吸収などのシミュレーションに用いられている。関連する用語後方散乱電子特性X線...
【英】:polycrystal結晶方位の異なった結晶粒で構成される結晶。関連する用語単結晶説明に「多結晶」が含まれている用語デバイシェラー環結晶成長後方散乱電子回折粒界...
【英】:polycrystal結晶方位の異なった結晶粒で構成される結晶。関連する用語単結晶説明に「多結晶」が含まれている用語デバイシェラー環結晶成長後方散乱電子回折粒界...
入射電子が試料中において散乱する過程で、試料表面から再放出されたもの。エネルギー範囲は、入射電子エネルギーを最高値として極めて広く分布するが、一般的には50eV以上のエネルギーを持つもので、オージェ電...
入射電子が試料中において散乱する過程で、試料表面から再放出されたもの。エネルギー範囲は、入射電子エネルギーを最高値として極めて広く分布するが、一般的には50eV以上のエネルギーを持つもので、オージェ電...
入射電子が試料中において散乱する過程で、試料表面から再放出されたもの。エネルギー範囲は、入射電子エネルギーを最高値として極めて広く分布するが、一般的には50eV以上のエネルギーを持つもので、オージェ電...
入射電子が試料中において散乱する過程で、試料表面から再放出されたもの。エネルギー範囲は、入射電子エネルギーを最高値として極めて広く分布するが、一般的には50eV以上のエネルギーを持つもので、オージェ電...
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