量子ドットレーザー
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/03/04 07:55 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動量子ドットレーザー（りょうしドットレーザー）は、量子ドットを備えるレーザー。
概要
N型/P型半導体の間の層に挟まれたナノメートル(10億分の1メートル)サイズの量子ドットから光が放射される[1]。
温度による影響が少なく、原理的には従来の半導体レーザーの10分の1という低消費電力[1][2]。
用途
- 短距離伝送、高速通信等
脚注
- ^ a b “新しい技術（量子ドットレーザー）”. 富士通研究所. 2018年12月27日閲覧。
- ^ “世界が認めた次世代光通信の本命、量子ドットレーザ”. ITmedia エンタープライズ. ITmedia. p. 2/3 (2006年12月26日). 2018年12月27日閲覧。
参考文献
- 菅原充, 向井剛輝, 中田義昭 「半導体量子ドットレーザーの進展」『応用物理』 69巻 11号 2000年 p.1305-1309, doi:10.11470/oubutsu1932.69.1305
- 荒川泰彦 「量子ドットレーザの展望」『電子情報通信学会誌』 85巻 11号 p.826-833, NAID 110003228790
- 天野建, 菅谷武芳, 小森和弘 「高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ」『電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス』 105巻 455巻 2005年 p.45-48, NAID 110003495053.
- 荒川泰彦 「量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年」『電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス』 112巻 98巻 2012年 p.47-52, NAID 110009588610.
関連項目
外部リンク
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