アイ‐ジー‐ビー‐ティー【IGBT】
読み方:あいじーびーてぃー
《insulated gate bipolar transistor》半導体素子の一種で、MOSトランジスターをバイポーラートランジスターのゲート部分に組み込むことで動作抵抗を小さくしたもの。大電力のスイッチングに向き、電力制御に用いられる。絶縁ゲート型バイポーラートランジスター。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
(IGBT から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/07/03 08:29 UTC 版)
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
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- 1 絶縁ゲートバイポーラトランジスタとは
- 2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの概要
- 3 歴史
- 4 特徴
- 5 用途
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