シリコンゲルマニウム
シリコンゲルマニウム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/04/21 16:49 UTC 版)
シリコンゲルマニウムは、珪素とゲルマニウムで構成される半導体。
- ^ a b SiGeが切り開く半導体の未来
- ^ シリコン-ゲルマニウム・トランジスタで世界最速動作798GHzを記録 ― IHPとジョージア工科大
- ^ Silicon-Germanium Chip Sets New Speed Record
- ^ 稲員ふみ、「技術開発レポート: フィルム基板アモルファスシリコン太陽電池の開発」 『電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌）』 2010年 130巻 4号 p.NL4_05, doi:10.1541/ieejias.130.NL4_05, 電気学会
- ^ a b 恭一, 木下; 康智, 荒井; 裕光, 稲富; 隆夫, 塚田 (2017). “国際宇宙ステーションを利用した均一組成 SiGe 結晶の育成 (2) Traveling Liquidus Zone (TLZ)法による育成実験と微小重力効果”. International Journal of Microgravity Science and Application (日本マイクログラビティ応用学会) 34 (1): 340113. doi:10.15011//jasma.34.340113.
- ^ a b “微小重力下におけるTLZ法による均一組成SiGe結晶育成の研究”. 「きぼう」利用のご案内. 2021年11月13日閲覧。
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- 2 シリコンゲルマニウムの概要
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