「イオン‐ビーム」を解説文に含む見出し語の検索結果(91～100/671件中)
【英】：ion sputteringイオン化して加速した原子や分子を固体表面に衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象のこと。成膜(固体表面上への薄膜の形成)や、試料加工に用いら...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/06/01 03:22 UTC 版)「マスクレス リソグラフィ」の記事における「マスクレス・リソグラフィの形態」の解説現在マ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/07/21 15:24 UTC 版)「内田裕久」の記事における「専門」の解説水素貯蔵材料、水素・再生可能エネルギー、希土類系...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/26 04:03 UTC 版)「イオン注入」の記事における「高電流イオン注入装置」の解説ミリアンペアオーダーの高電流イ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/04/20 06:28 UTC 版)「イオン源」の記事における「二次イオン化」の解説二次イオン質量分析法（SIMS）を使用し...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/05 01:17 UTC 版)「ホウ素」の記事における「超硬度材料」の解説詳細は「超硬度材料」を参照 いくつかのホウ素...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/02/24 01:43 UTC 版)「イオンエンジン」の記事における「電極静電荷電粒子推進器」の解説静電荷電粒子推進器は推進...
結晶性試料を観察したとき、結晶方位の違いによってSEM像やSIM像に生じるコントラスト。電子やイオンのチャンネリングにより、結晶方位の違いで試料への侵入深さが変わり、結果として反射電子や二次電子の放出...
結晶性試料を観察したとき、結晶方位の違いによってSEM像やSIM像に生じるコントラスト。電子やイオンのチャンネリングにより、結晶方位の違いで試料への侵入深さが変わり、結果として反射電子や二次電子の放出...
略語：FIB【英】：focused ion-beam milling半導体デバイスの不良部分など、特定の領域をサブミクロンの精度で楔状に切り出し、TEM用の試料を作製する方法。ガリウムイオンを数kV〜...