「ゲート酸化膜」を解説文に含む見出し語の検索結果(21~30/73件中)

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ナビゲーションに移動検索に移動 MOSFET(電界効果トランジスタの一種)でのチャネル(電子密度)の形成と閾値電圧の印加のシミュレーション結果。このデバイスの閾値電圧はおよそ 0.45 Vで...
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N型チャネルMOSFET模式図ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネル(基板)の間に存在する絶縁膜。最先端プロセスにおいて、ゲート絶縁体は以...
N型チャネルMOSFET模式図ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネル(基板)の間に存在する絶縁膜。最先端プロセスにおいて、ゲート絶縁体は以...
サブスレッショルド伝導、サブスレッショルドリーク電流、サブスレッショルドドレイン電流とは、トランジスタがサブスレッショルド領域または弱い反転領域、つまりゲート-ソース間電圧が閾値電圧以下でのMOSFE...
サブスレッショルド伝導、サブスレッショルドリーク電流、サブスレッショルドドレイン電流とは、トランジスタがサブスレッショルド領域または弱い反転領域、つまりゲート-ソース間電圧が閾値電圧以下でのMOSFE...
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