1980年（昭和55年）、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...

1980年（昭和55年）、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...

1980年（昭和55年）、富士通が世界で初めて開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度が高速の...

読み方：へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素（GaS）とアルミニ...

読み方：へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素（GaS）とアルミニ...

別表記：モビリティー「mobility」とは、可動性・移動性・流動性のことを意味する英語表現である。「mobility」とは・「mobility」の意味「mobility」は、（物理的な）動きやすさや...

別表記：モビリティー「mobility」とは、可動性・移動性・流動性のことを意味する英語表現である。「mobility」とは・「mobility」の意味「mobility」は、（物理的な）動きやすさや...

ナビゲーションに移動検索に移動電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう[1]。単に移動度...

ナビゲーションに移動検索に移動電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう[1]。単に移動度...

ナビゲーションに移動検索に移動電子移動度（でんしいどうど、electron mobility）とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう[1]。単に移動度...