「表面現象」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/40件中)
数百eV以下の低エネルギーの電子プローブで結晶性試料を走査し、表面で弾性散乱した電子を検出して、像を作るSEM。形像に寄与するコントラストは回折コントラストである。減速法による陰極レンズが使われる一方...
数百eV以下の低エネルギーの電子プローブで結晶性試料を走査し、表面で弾性散乱した電子を検出して、像を作るSEM。形像に寄与するコントラストは回折コントラストである。減速法による陰極レンズが使われる一方...
数百eV以下の低エネルギーの電子プローブで結晶性試料を走査し、表面で弾性散乱した電子を検出して、像を作るSEM。形像に寄与するコントラストは回折コントラストである。減速法による陰極レンズが使われる一方...
数百eV以下の低エネルギーの電子プローブで結晶性試料を走査し、表面で弾性散乱した電子を検出して、像を作るSEM。形像に寄与するコントラストは回折コントラストである。減速法による陰極レンズが使われる一方...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/14 03:01 UTC 版)「太陽」の記事における「表面現象」の解説詳細は「太陽黒点」、「紅炎」、および「太陽フレア...
試料表面での結晶成長を観察するためのSEM。結晶性試料の表面に浅い角度で電子プローブを入射させたときに起きる電子回折の特定の反射の強度を、像信号として利用する。電子回折パターンを観察するための蛍光スク...
試料表面での結晶成長を観察するためのSEM。結晶性試料の表面に浅い角度で電子プローブを入射させたときに起きる電子回折の特定の反射の強度を、像信号として利用する。電子回折パターンを観察するための蛍光スク...
試料表面での結晶成長を観察するためのSEM。結晶性試料の表面に浅い角度で電子プローブを入射させたときに起きる電子回折の特定の反射の強度を、像信号として利用する。電子回折パターンを観察するための蛍光スク...
試料表面での結晶成長を観察するためのSEM。結晶性試料の表面に浅い角度で電子プローブを入射させたときに起きる電子回折の特定の反射の強度を、像信号として利用する。電子回折パターンを観察するための蛍光スク...
試料表面での結晶成長を観察するためのSEM。結晶性試料の表面に浅い角度で電子プローブを入射させたときに起きる電子回折の特定の反射の強度を、像信号として利用する。電子回折パターンを観察するための蛍光スク...
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