「後方散乱電子回折」を解説文に含む見出し語の検索結果(1～10/13件中)
【英】：polycrystal結晶方位の異なった結晶粒で構成される結晶。関連する用語単結晶説明に「多結晶」が含まれている用語デバイシェラー環結晶成長後方散乱電子回折粒界...
【英】：polycrystal結晶方位の異なった結晶粒で構成される結晶。関連する用語単結晶説明に「多結晶」が含まれている用語デバイシェラー環結晶成長後方散乱電子回折粒界...
バルク状の結晶試料に電子線が入射したとき、後方散乱電子により菊池パターンが形成される現象。SEMにおけるEBSDの場合は、この後方散乱電子回折を利用した結晶方位解析の手法を意味する。関連する用語電子線...
バルク状の結晶試料に電子線が入射したとき、後方散乱電子により菊池パターンが形成される現象。SEMにおけるEBSDの場合は、この後方散乱電子回折を利用した結晶方位解析の手法を意味する。関連する用語電子線...
後方散乱電子回折を利用して、結晶性試料の方位解析をする方法。60〜70゜に傾斜した試料に電子プローブを照射すると、側方に置いた蛍光スクリーン上に電子回折パターンが得られる。この電子回折パターンをテレビ...
結晶性試料に電子線を照射すると、散乱した電子は一様な分布にならず、ブラッグ条件を満たす特定の方向に強度を持つような分布をする。これを電子回折と呼び、電子の波動性によるものである。散乱方向にスクリーンを...
結晶性試料に電子線を照射すると、散乱した電子は一様な分布にならず、ブラッグ条件を満たす特定の方向に強度を持つような分布をする。これを電子回折と呼び、電子の波動性によるものである。散乱方向にスクリーンを...
【英】：crystal orientation結晶の方向を、結晶の面指数で表したもの。透過電子顕微鏡像の観察の際には、結晶の特定の方位(通常、低次の指数で表される方位)を入射電子線の方向に合わせる。菊...
【英】：crystal orientation結晶の方向を、結晶の面指数で表したもの。透過電子顕微鏡像の観察の際には、結晶の特定の方位(通常、低次の指数で表される方位)を入射電子線の方向に合わせる。菊...
【英】：Kikuchi pattern入射電子が、結晶性試料内で原子の熱振動による非弾性散乱（熱散漫散乱）を受けた後にブラッグ反射(弾性散乱)を起こすことによって生じる図形。非弾性散乱を受けた電子の進...
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