「初期のデバイス」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~9/9件中)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/01/04 05:09 UTC 版)「VCSEL」の記事における「初期のデバイス」の解説最初の段階では、この新しいデバイスを...
GeSbTe (ゲルマニウム=アンチモン=テルルまたは GST) は、書き換え可能な光ディスクや相変化メモリ用途に使用されるカルコゲン化物ガラスのグループに属する相変化材料である。 再結晶化時間は20...
VCSEL図1 VCSELアレイの模式図種類レーザー素子、光エレクトロニクス動作原理レーザー発明伊賀健一(1977年)商品化ハネウェル(1995年)ピン配置アノード、カソードテンプレートを表示垂直共振...
VCSEL図1 VCSELアレイの模式図種類レーザー素子、光エレクトロニクス動作原理レーザー発明伊賀健一(1977年)商品化ハネウェル(1995年)ピン配置アノード、カソードテンプレートを表示垂直共振...
VCSEL図1 VCSELアレイの模式図種類レーザー素子、光エレクトロニクス動作原理レーザー発明伊賀健一(1977年)商品化ハネウェル(1995年)ピン配置アノード、カソードテンプレートを表示垂直共振...
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