「二次電子放出率」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~10/12件中)
電子プローブで試料上を走査したときの、二次電子放出率の変化を可視化したSEM像。SEMで最も多く使われる像であり、試料表面形状の観察に使われるが、電位分布の観察にも使われる。関連する用語走査二次電子放...
電子プローブで試料上を走査したときの、二次電子放出率の変化を可視化したSEM像。SEMで最も多く使われる像であり、試料表面形状の観察に使われるが、電位分布の観察にも使われる。関連する用語走査二次電子放...
電子プローブで試料上を走査したときの、二次電子放出率の変化を可視化したSEM像。SEMで最も多く使われる像であり、試料表面形状の観察に使われるが、電位分布の観察にも使われる。関連する用語走査二次電子放...
表面の形状に起因するコントラスト。二次電子像の場合、二次電子放出率が試料表面に対する電子線の入射角に依存することから、コントラストが生じる。反射電子像の場合は、入射電子線が鏡面反射方向に強い強度を持つ...
表面の形状に起因するコントラスト。二次電子像の場合、二次電子放出率が試料表面に対する電子線の入射角に依存することから、コントラストが生じる。反射電子像の場合は、入射電子線が鏡面反射方向に強い強度を持つ...
試料に入射した電子の数に対する、試料から放出された二次電子の割合。入射電子の電流をI0、二次電子電流をIsとすると、二次電子放出率δはδ=Is/I0で与えられる。二次電子放出率は、...
試料に入射した電子の数に対する、試料から放出された二次電子の割合。入射電子の電流をI0、二次電子電流をIsとすると、二次電子放出率δはδ=Is/I0で与えられる。二次電子放出率は、...
試料に入射した電子の数に対する、試料から放出された二次電子の割合。入射電子の電流をI0、二次電子電流をIsとすると、二次電子放出率δはδ=Is/I0で与えられる。二次電子放出率は、...
カーボンを真空中で高温に加熱することで蒸発させ、試料表面に被膜を作る方法。試料のコーティングに用いられるほか、微粒子を観察する際の試料支持薄膜作製用としても用いられる。コーティング用としては、カーボン...
カーボンを真空中で高温に加熱することで蒸発させ、試料表面に被膜を作る方法。試料のコーティングに用いられるほか、微粒子を観察する際の試料支持薄膜作製用としても用いられる。コーティング用としては、カーボン...
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