「ワイドギャップ半導体」を解説文に含む見出し語の検索結果(1～10/13件中)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/03/07 08:35 UTC 版)「表面準位」の記事における「ショックレー準位とタム準位」の解説表面準位に議論においては、...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/03/07 08:35 UTC 版)「表面準位」の記事における「タム準位」の解説強結合モデルのフレームワークで計算される表面...
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/16 09:21 UTC 版)「バンドギャップ」の記事における「半導体におけるバンドギャップ」の解説電子がバンドギャッ...
窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒...
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バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における...
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赤﨑 勇赤﨑勇（2011年）生誕 (1929-01-30) 1929年1月30日 日本・鹿児島県川辺郡知覧村（現・南九州市）死没 (2021-04-01) 2021年4月1日（92歳没） 日本・愛知県...
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