「ヘテロ接合FET」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~7/7件中)

読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
読み方:へむと《high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子。ガリウム砒素(GaS)とアルミニ...
藤代 博記(ふじしろ ひろき、1959年9月 - )は、日本の次世代ナノ電子デバイス研究者。東京理科大学先進工学部電子システム工学科教授、副学長[1]。博士(工学)。神奈川県出身。主な...
ナビゲーションに移動検索に移動この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。出典検索?: "高電子移動度トランジスタ"...
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