「シャロートレンチアイソレーション」を解説文に含む見出し語の検索結果(1~8/8件中)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2019/06/20 13:40 UTC 版)「シャロートレンチアイソレーション」の記事における「プロセスフロー」の解説STIが形成さ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2019/02/24 15:19 UTC 版)「LOCOS」の記事における「層の機能と構造」の解説シリコンウェハー(層1)は(MOSト...
典型的なLOCOS構造。 1) シリコン 2) 二酸化ケイ素LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)とは、シリコンウェハー上のある領域に二酸化ケイ素を形成させ、Si-SiO2...
ナビゲーションに移動検索に移動 現代的なICにおけるSTI製造プロセスの断面図半導体デバイスのシャロートレンチアイソレーション(英: Shallow trench isolation)またはS...
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配線工程(BEOL、メタライズ層)と基板工程(FEOL、デバイス) CMOS製造プロセス基板工程またはフロントエンド(front-end-of-line、FEOL)とは半導体デバイス製造の最初の部分で...
配線工程(BEOL、メタライズ層)と基板工程(FEOL、デバイス) CMOS製造プロセス基板工程またはフロントエンド(front-end-of-line、FEOL)とは半導体デバイス製造の最初の部分で...
配線工程(BEOL、メタライズ層)と基板工程(FEOL、デバイス) CMOS製造プロセス基板工程またはフロントエンド(front-end-of-line、FEOL)とは半導体デバイス製造の最初の部分で...
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