ショットキー欠陥

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ショットキー欠陥

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/07/19 05:27 UTC 版)

NaCl構造内のショットキー欠陥

ショットキー欠陥（ショットキーけっかん、英語: schottky defect^[1]）とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶（NaCl、RbI、CsI など）にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。

ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。 具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。

${\displaystyle C=A\exp({\frac {-E_{f}}{kT}})}$

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