ショックレーダイオード

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ショックレーダイオード

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/08/15 22:20 UTC 版)

ショックレーダイオード（Shockley diode : 物理学者ウィリアム・ショックレーにちなんで命名）は、4層半導体ダイオードである。これは最初に発明された半導体デバイスの一つである。 PNPNダイオードの一種であり、P型半導体とN型半導体を交互に重ね合わせた層を有している。 ゲートがないサイリスタと等価である。 1950年代後半にショックレー半導体研究所によって製造・販売された。 ショックレーダイオードは、負性抵抗の特性を有している。 ショックレーダイオードは、主にダイアックによって置き換えられた。