「dRAM」を解説文に含む見出し語の検索結果(91～100/2065件中)
フルスペル：column address strobe読み方：キャスCASとは、DRAMにアクセスするときに使用される信号のことである。DRAMは記憶素子が格子状に並ぶ構造を取っており、目的のデータで...
フルスペル：Column Address Strobe signal読み方：シーエーエスシンゴウCAS信号とは、DRAMにアクセスするときに使用される信号のことである。DRAMは記憶素子が格子状に並ぶ...
フルスペル：Column Address Strobe signal読み方：シーエーエスシンゴウCAS信号とは、DRAMにアクセスするときに使用される信号のことである。DRAMは記憶素子が格子状に並ぶ...
フルスペル：Column Address Strobe signal読み方：シーエーエスシンゴウCAS信号とは、DRAMにアクセスするときに使用される信号のことである。DRAMは記憶素子が格子状に並ぶ...
読み方：グラフィックスシンセサイザGraphics Synthesizerとは、ソニー・コンピュータエンタテインメントが開発したグラフィックプロセッサのことである。プレイステーション2と初期のプレイス...
読み方：グラフィックスシンセサイザGraphics Synthesizerとは、ソニー・コンピュータエンタテインメントが開発したグラフィックプロセッサのことである。プレイステーション2と初期のプレイス...
読み方：きはつせいメモリ別名：揮発メモリ【英】volatile memory揮発性メモリとは、電気の供給を断つと記憶内容が消失してしまう記憶装置のことである。揮発性メモリには、常時、データの再書き込み...
読み方：きはつせいメモリ別名：揮発メモリ【英】volatile memory揮発性メモリとは、電気の供給を断つと記憶内容が消失してしまう記憶装置のことである。揮発性メモリには、常時、データの再書き込み...
フルスペル：Static Random Access Memory読み方：エスラムSRAMとは、読み込み、書き込みが可能なメモリ（RAM）の一種で、一時的にデータを保持するための揮発性メモリのことであ...
南亜科技Nanya Technology種類株式会社市場情報TWSE 2408 (PDF)本社所在地 台湾新北市泰山区南林路設立1995年3月4日業種電子部品・半導体事業内容DRAM製造従業員数3,5...