「半導体デバイス製造」を解説文に含む見出し語の検索結果(51～60/220件中)
プレーナー型トランジスタの内部構造中心がベースでその外側がエミッタで外周はコレクタプレーナー型トランジスタ（プレーナーがたトランジスタ）は、現在主流のトランジスタの形式。概要シリコンの基板上に選択拡散...
吸着効果トランジスタ（きゅうちゃくこうかトランジスタ、Adsorption–Effect Transistor, AET）は、一種の電界効果トランジスタである。概要構造は通常の電界効果トランジスタと似...
微細化（びさいか、die shrink、optical shrink、process shrink）とは、半導体デバイス特にトランジスタの単純な半導体スケーリングを指す言葉。ダイ（またはチップとも呼ぶ...
微細化（びさいか、die shrink、optical shrink、process shrink）とは、半導体デバイス特にトランジスタの単純な半導体スケーリングを指す言葉。ダイ（またはチップとも呼ぶ...
微細化（びさいか、die shrink、optical shrink、process shrink）とは、半導体デバイス特にトランジスタの単純な半導体スケーリングを指す言葉。ダイ（またはチップとも呼ぶ...
拡散型トランジスタ（かくさんがたトランジスタ）とはトランジスタの一形式。概要1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、品質(特に高周波特性)が安定せず、歩留まりも低いため、...
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HCMOS ("high-speed CMOS"：高速CMOS) は、電気的な定格と特性であり、74HC00ファミリーを形成している。74HC00ファミリーは、7400シリーズ 汎用ロジックIC（英語...
シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされた場合。ドナー準位EDは伝導帯ECのすぐ下に位置する。n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の...
シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされた場合。ドナー準位EDは伝導帯ECのすぐ下に位置する。n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の...