「フィラデルフィア半導体指数」を解説文に含む見出し語の検索結果(11~20/179件中)
この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。出典検索?: "半導体工学" – ニュース ...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/12/26 17:30 UTC 版)「フェルミエネルギー」の記事における「脚注・参考文献」の解説[脚注の使い方] ^ Kit...
ナビゲーションに移動検索に移動.mw-parser-output .hatnote{margin:0.5em 0;padding:3px 2em;background-color:transparen...
ナビゲーションに移動検索に移動.mw-parser-output .hatnote{margin:0.5em 0;padding:3px 2em;background-color:transparen...
固体物理学における固体のバンド理論(バンドりろん、英: band theory)または帯理論とは、結晶などの固体物質中に分布する電子の量子力学的なエネルギーレベルに関する理論を言う。1920年...
フィラデルフィア半導体指数(フィラデルフィアはんどうたいしすう、英語: PHLX Semiconductor Sector Index)またはフィラデルフィア半導体株価指数は、アメリカ合衆国の...
フィラデルフィア半導体指数(フィラデルフィアはんどうたいしすう、英語: PHLX Semiconductor Sector Index)またはフィラデルフィア半導体株価指数は、アメリカ合衆国の...
フィラデルフィア半導体指数(フィラデルフィアはんどうたいしすう、英語: PHLX Semiconductor Sector Index)またはフィラデルフィア半導体株価指数は、アメリカ合衆国の...
吸着効果トランジスタ(きゅうちゃくこうかトランジスタ、Adsorption–Effect Transistor, AET)は、一種の電界効果トランジスタである。概要構造は通常の電界効果トランジスタと似...
拡散型トランジスタ(かくさんがたトランジスタ)とはトランジスタの一形式。概要1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、品質(特に高周波特性)が安定せず、歩留まりも低いため、...