「ドリフト (電子工学)」を解説文に含む見出し語の検索結果(11~20/59件中)
ナビゲーションに移動検索に移動成長接合型トランジスタ(せいちょうせつごうがたトランジスタ)は、トランジスタの一形式。目次1 概要2 製法3 特徴4 用途5 脚注6 参考文献7 関連項目8 外部リンク概...
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/08/13 01:28 UTC 版)「ウィリアム・ショックレー」の記事における「トランジスタ」の解説1945年に戦争が終わる...
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訃報 2009年訃報 2010年01月02月03月04月05月06月07月08月09月10月11月12月訃報 2011年訃報 2010年2月(ふほう 2010ねん2がつ)では、2010年2月中に物故し...
pn接合(pnせつごう、pn junction)とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電...
pn接合(pnせつごう、pn junction)とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電...
pn接合(pnせつごう、pn junction)とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電...
pn接合(pnせつごう、pn junction)とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電...
ウィリアム・ショックレーWilliam ShockleyWilliam Bradford Shockley Jr.生誕 (1910-02-13) 1910年2月13日 ロンドン死没1989年8月12日...