EKV MOSFET Model
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/10/05 08:09 UTC 版)
EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する 数学的モデルで、回路シミュレーションや アナログ回路 設計で利用されることを目的としたものである[1]。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである[2]。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域（例：Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時）での動作も正確に表現できる。加えて、サブマイクロン CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。
- ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1995), “An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
- ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1987), “A CMOS Chopper Amplifier”, IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
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