「半導体-半導体接合」を解説文に含む見出し語の検索結果(31～40/198件中)
IGCTサイリスタの回路記号集積化ゲート転流型サイリスタ(しゅうせきかゲートてんりゅうがたサイリスタ、英語: integrated gate-commutated turn-off thyri...
IGCTサイリスタの回路記号集積化ゲート転流型サイリスタ(しゅうせきかゲートてんりゅうがたサイリスタ、英語: integrated gate-commutated turn-off thyri...
プレーナー型トランジスタの内部構造中心がベースでその外側がエミッタで外周はコレクタプレーナー型トランジスタ（プレーナーがたトランジスタ）は、現在主流のトランジスタの形式。概要シリコンの基板上に選択拡散...
吸着効果トランジスタ（きゅうちゃくこうかトランジスタ、Adsorption–Effect Transistor, AET）は、一種の電界効果トランジスタである。概要構造は通常の電界効果トランジスタと似...
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シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされた場合。ドナー準位EDは伝導帯ECのすぐ下に位置する。n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の...
シリコン(Si)中にリン(P)がドーピングされた場合。ドナー準位EDは伝導帯ECのすぐ下に位置する。n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の...
アモルファス半導体（アモルファスはんどうたい、amorphous semiconductor）とは、非晶質状態の半導体である。非晶質半導体 (non‐crystalline semiconductor...
アモルファス半導体（アモルファスはんどうたい、amorphous semiconductor）とは、非晶質状態の半導体である。非晶質半導体 (non‐crystalline semiconductor...