電子プローブで試料上を走査したときの、電子線誘起電流の変化を可視化したSEM像。半導体デバイスの動作状態の確認、材料の結晶欠陥の観察などに使われる。関連する用語電子プローブ電子線誘起電流内部起電力...

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電子プローブで試料上を走査したときの、電子線誘起電流の変化を可視化したSEM像。半導体デバイスの動作状態の確認、材料の結晶欠陥の観察などに使われる。関連する用語電子プローブ電子線誘起電流内部起電力...

p-n接合に電子が入射すると、電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを内部起電力と言う。電子線誘起電圧と呼ばれることも...

p-n接合に電子が入射すると、電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを内部起電力と言う。電子線誘起電圧と呼ばれることも...

p-n接合に電子が入射すると、電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを内部起電力と言う。電子線誘起電圧と呼ばれることも...

p-n接合に電子プローブを照射すると電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを電子線誘起電圧（electron-beam...

p-n接合に電子プローブを照射すると電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを電子線誘起電圧（electron-beam...

p-n接合に電子プローブを照射すると電子−正孔対が出来るが、空乏層の電界によって電子はn領域へ、正孔はp領域に移動し、p-n接合の両端に電圧が発生する。これを電子線誘起電圧（electron-beam...

ナビゲーションに移動検索に移動この項目「カソードルミネッセンス」は翻訳されたばかりのものです。不自然あるいは曖昧な表現などが含まれる可能性があり、このままでは読みづらいかもしれません。（原文：en:C...