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検索結果 397 件

  • NVMB型計算機における不揮発性メモリを活性挿抜するOS処理

    谷口 秀夫 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2023 (0), 359-360, 2023-08-31

    ...<p>不揮発性メモリ（Non-Volatile Memory：以降、NVメモリと略す）の性能向上は著しい。そこで、NVメモリの特徴を生かす新しい実行プログラム形式（OFF2F：Object File Format consisting of 2 Files）を提案した。また、外部記憶装置を有しない不揮発性メモリ品（NVM Block）を搭載した計算機（以降、NVMB型計算機と略す）を提案した。...

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  • 不揮発性メモリを用いた複製に基づく永続化のためのリカバリ機構

    松本, 康太郎, 長安, 尚之, 鵜川, 始陽, 高田, 喜朗, 岩崎, 英哉 第64回プログラミング・シンポジウム予稿集 2023 59-71, 2023-01-06

    ...不揮発性メモリ（NVM）は，電源を喪失してもデータを保持し続ける主記憶装置である．我々は，プログラム実行中にDRAM上のオブジェクトをNVM上に複製することで，システムがクラッシュした後でもデータを復元できるJava仮想機械（VM）を開発している．これまで，オブジェクトの複製を作る機能を実現したが，本研究ではさらに，クラッシュ後のプログラムの再起動において，複製を使ってデータを復元するリカバリ機能を...

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  • 積層制御による2次元強誘電体の設計

    安田 憲司 応用物理 91 (12), 750-754, 2022-12-01

    ...<p>分極の方向を電場によって制御可能な強誘電体は，情報の保持が可能な不揮発性メモリとして機能する．不揮発性メモリの微細化のうえでは，強誘電体の薄膜化が重要であるが，従来の強誘電体では薄膜化が困難であり，物質科学的にこの問題を解決する必要があった．この問題に対し我々は，ファンデルワールス積層構造と呼ばれる構造を作製することで人工的に2次元強誘電体を作り出した．もともと強誘電性を持たない層状ファンデルワールス...

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  • 電子デバイスの電気的雑音測定とその環境構築

    大毛利 健治 応用物理 91 (4), 230-234, 2022-04-01

    ...<p>電子デバイス向け電気特性評価の環境構築と，少し高度な電気的雑音について「計測」と「除去」という観点から解説します．また，計測自動化や極低温環境に関して，トランジスタや不揮発性メモリにおける雑音計測の具体例を示しながら紹介します．</p>...

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  • 揮発性/不揮発性メモリのアクセス速度差を考慮したOFF2Fの性能予測

    額田, 哲彰, 山内, 利宏, 谷口, 秀夫 第84回全国大会講演論文集 2022 (1), 121-122, 2022-02-17

    ...揮発性メモリと不揮発性メモリ（以降，NVメモリ）を混載した計算機における新たな実行ファイル形式（OFF2F：Object File Format consisting of 2 Files）が提案されている．OFF2Fは，読み出しのみ行われるテキスト部をNVメモリ上に格納することで，テキスト部の要求時ページング（以降，ODP）処理を高速化する．一方で，揮発性メモリに比べ，NVメモリはアクセス速度が低速...

    情報処理学会

  • 不揮発性メモリを用いたJavaオブジェクト永続化のオーバヘッドの調査

    松本 康太郎, 高田 喜朗, 鵜川 始陽 コンピュータ ソフトウェア 38 (2), 2_14-2_19, 2021-04-23

    ...<p>近年，電源が喪失してもデータを保持することが可能な主記憶装置である不揮発性メモリが市場に登場した．この不揮発性メモリをJavaなどのマネージド言語で自然に利用できるようにするために，オブジェクトが自動的に永続化される仕組を持つ永続化ヒープが開発されている．本研究では，予想されるオブジェクト永続化のためのオーバヘッドを調査した．そのために，OpenJDKに不揮発性メモリへのアクセスを伴う処理を実装...

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  • 不揮発性メモリのための索引手法の分析

    西村, 学, 石川, 佳治, 杉浦, 健人 第83回全国大会講演論文集 2021 (1), 371-372, 2021-03-04

    ...不揮発性メモリはデータを永続化しつつ通常のメモリに迫る性能を達成すること から，それらを活用した手法やアーキテクチャが近年考案されている．不揮発性 メモリ向けの索引構造もその一つであり，性能と高速な障害回復の両方を可能に するとして期待されている．一方で，それらの実装には不揮発性メモリの性能特 性を考慮する必要があり，不揮発性メモリの実物がまだ普及を始めたばかりであ ることも相まって，その性能は未知数...

    情報処理学会

  • 不揮発性メモリ品型計算機用オペレーティングシステムの提案

    谷口, 秀夫 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2020 78-85, 2020-11-24

    ...次に、実メモリとして不揮発性メモリを利用することで外部記憶装置が不要であることを述べ、活性挿抜できる不揮発性メモリ品を提案し、これにより期待される効果を述べる。さらに、不揮発性メモリ品を搭載した計算機用のオペレーティングシステムについて、課題を示し、対処への方針を述べる。...

    情報処理学会

  • OFF2Fにおけるページ例外回数に着目したページ例外処理時間の評価－OSカーネル作成処理－

    額田, 哲彰, 佐藤, 将也, 谷口, 秀夫 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2020 1-8, 2020-11-24

    ...バイトアクセス可能な不揮発性メモリが登場し，将来の計算機の実メモリ環境は，揮発性メモリと不揮発性メモリを混載した環境になると考えられる．そこで，この環境を想定した新たな実行ファイル形式として，アクセス形態の違いによりテキスト部とテキスト部以外を2つのファイルに分割格納した実行ファイル形式（OFF2F：Object File Format consisting of 2 Files）が提案されている．...

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  • IoT向け不揮発メモリ技術

    島 久 応用物理 89 (11), 667-670, 2020-11-10

    ...<p>酸化物の抵抗変化現象を利用した不揮発性メモリReRAM（Resistive Random Access Memory）はその省電力性を生かして，IoTデバイスに搭載されたメモリとしてデータを蓄積する機能だけではなく，センサとしてデータを収集し，また，人工知能デバイスとしてデータを学習・推論する解析まで担うようになっています．本稿では，エッジ領域における情報処理で幅広い利活用が期待されるReRAM...

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  • CoW機能を考慮したOFF2Fプログラムのページ例外処理の評価

    谷口, 秀夫, 佐藤, 将也, 河辺, 誠弥, 横山, 和俊 情報処理学会論文誌 61 (3), 707-717, 2020-03-15

    ...ハードウェア技術の進歩により，不揮発性メモリが登場している．この登場を受け，計算機は，実メモリとして，揮発性メモリと不揮発性メモリを混載する構成が考えられる．この環境を想定し，仮想記憶機構が2つのメモリの特徴を生かしたプログラムの実行をできるように，新しい実行プログラムのファイル形式（OFF2F：Object File Format consisting of 2 Files）が提案されている．本論文...

    情報処理学会

  • OSカーネル作成処理におけるページ例外に着目したOFF2Fの効果予測

    額田, 哲彰, 佐藤, 将也, 谷口, 秀夫 第82回全国大会講演論文集 2020 (1), 55-56, 2020-02-20

    ...ハードウェア技術の進歩により，バイトアクセス可能な不揮発性メモリが登場している．また，揮発性メモリと不揮発性メモリを混載した環境における新たな実行ファイル形式（OFF2F：Object File Format consisting of 2 Files）が提案されている．OFF2Fは，プログラムをメモリ上で実行するときのアクセス形態に着目し，テキスト部分とデータ部分の2つのファイルからなる実行ファイル...

    情報処理学会

  • ニューラルネットワークポテンシャルによる金−リチウム界面における合金化過程の解析

    清水 康司, Arguelles Elvis F., 李 文文, 安藤 康伸, 南谷 英美, 渡邉 聡 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2020 (0), 143-, 2020

    ...<p>金とリチウムの合金化過程の解析は、全固体リチウム電池や不揮発性メモリの動作原理の理解に重要である。そこで本研究では、密度汎関数法計算のデータをもとに金−リチウム合金系に対するニューラルネットワークポテンシャルを作成した。作成した原子間ポテンシャルを用いて、相分離した金/リチウム超格子モデルでの分子動力学計算を行い、界面における原子スケールでの合金化の動的過程を明らかにした。</p>...

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  • スピントロニクスが導く未来

    佐橋 政司 電気学会誌 139 (11), 748-754, 2019-11-01

    <p>1．はじめに</p><p>第4次産業革命とも言われ，近年動きが活発化しているIoT/IoE（Internet of Every Thing）やAI（Artificial Intelligence）の進展は，我々の生活様式のみならず，産業構造にも大きな変革をもたらすことが期待されており，我々を取り巻く生活および社会的環境は予測できないくら</p>

    DOI Web Site Web Site 参考文献10件

  • トンネル磁気抵抗効果

    湯浅 新治 電気学会誌 139 (9), 595-600, 2019-09-01

    <p>1．はじめに</p><p>電子の電荷とスピンの両方を活用するスピントロニクスは，情報読み出しのための「磁気抵抗効果」と情報書き込みのための「スピン移行トルク」という二つの物理現象の発見と進展によって，現在まで発展を続けている<sup>（1）</sup>。本稿では，スピントロニクス応用の中核技術である磁気トンネ</p>

    DOI Web Site Web Site 参考文献18件

  • FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ素子の閾値電圧特性の測定ならびに読み出し方式検討

    田中, 一平, 宮川, 尚之, 木村, 知也, 今川, 隆司, 越智, 裕之 DAシンポジウム2019論文集 2019 9-14, 2019-08-21

    ...本稿では，低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき，かつ，書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と，その特性測定用回路を提案する．近年，オンチップ太陽電池を用いたマイクロエナジーハーベスティングにより半永久的に電力を自給自足できるセンサチップの研究が行われているが，このようなセンサチップでは夜間にデータを保持する不揮発性メモリが不可欠である．本稿では，メタルフリンジキャパシタの一種...

    情報処理学会

  • 機械学習向けApproximate不揮発性メモリ

    竹内 健 応用物理 88 (6), 376-381, 2019-06-10

    ...<p>深層学習など，機械学習に最適な不揮発性メモリを紹介する．機械学習では，ある程度のエラーを許容する（精度を落とすことができる）ことを利用して，不揮発性メモリの高速化・低電力化・低コスト化を図る．ただし，LSIのチップレベルではエラーが存在しても，機械学習を使った推論・認識の精度は落とさないようにすることが必要である．本稿では，機械学習に向けてエラーを許容した，Approximateコンピューティング...

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  • スピントロニクスメモリ最新動向

    與田 博明, 大沢 裕一, 加藤 侑志, 下村 尚治 応用物理 88 (6), 394-398, 2019-06-10

    ...<p>不揮発性メモリは情報の書き換えに大きなエネルギーを必要とするため，その応用はストレージに限定されています．このジレンマを解消するために，スピントロニクスメモリにおけるSTT書き込み，スピンホール書き込み，およびVoCSM書き込みを検討しました．その結果，単ビットレベルでのスピンホール書き込みを実現し，VoCSM書き込みでは不揮発性を保ったまま，揮発性メモリ並みの低エネルギー書き込みと実質無限回数...

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  • OFF2F実現のための擬似不揮発性メモリの構築

    高杉, 頌, 佐藤, 将也, 谷口, 秀夫 第81回全国大会講演論文集 2019 (1), 31-32, 2019-02-28

    ...いて擬似的に構築する手法を述べる．具体的には、揮発性メモリを管理内外の2領域に分割し，管理外領域へ実行ファイルを配置する方式を提案する．...

    情報処理学会

  • FreeBSDの初期化処理におけるページ例外に着目したOFF2Fの効果予測

    河辺, 誠弥, 佐藤, 将也, 谷口, 秀夫 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2018 57-64, 2018-11-22

    ...不揮発メモリを有効利用するソフトウェア技術が研究されている．プログラムの実行を高速化する方式として，揮発性メモリと不揮発性メモリが混載された計算機を対象に，新しい実行プログラムのファイル形式 (OFF2F) が提案されている．OFF2F は，プログラムをメモリ上で実行するときのアクセス形態に着目し，テキスト部分とデータ部分の 2 つのファイルから成る実行ファイル形式である．本稿では，FreeBSD...

    情報処理学会

  • フラッシュメモリの現状と課題

    玉置 直樹, 青木 伸俊, 青地 英明 日本物理学会誌 73 (9), 648-657, 2018-09-05

    ...<p>半導体メモリは情報を制御・記憶する電子回路であり，電源を切ると情報が消失する揮発性メモリと電源を切っても情報を保持できる不揮発性メモリに分類できる．代表的な揮発性メモリはDRAM（Dynamic Random Access Memory）やSRAM（Static Random Access Memory）で高速な動作が特徴である．そのため，CPU（Central Processing Unit...

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  • ビアスイッチFPGA再構成時のスニークパス問題を回避するプログラミング順決定手法

    土井, 龍太郎, 劉, 載勲, 橋本, 昌宜 DAシンポジウム2018論文集 2018 3-8, 2018-08-22

    ...従来 FPGA の性能ボトルネックである SRAM 型スイッチを，不揮発性メモリの一種であるビアスイッチで置換した FPGA に関する研究 ・ 開発が行われている．ビアスイッチ FPGA は縦と横に走る信号配線の交点にビアスイッチを配置したクロスバー回路により配線接続の切り替えを実現する．一方，スイッチのプログラミングに共用の信号配線を使用するため，回路のプログラミング状態によっては，プログラミング...

    情報処理学会

  • 装置開発の観点から ‐ ディープ・ラーニングとIoTの現状と期待

    細川 浩二 電気学会誌 138 (5), 276-279, 2018-05-01

    <p>1．はじめに</p><p>近年，音声認識，画像認識などさまざまな人工知能の成果が注目されている。この人工知能の根幹を支えているニューラルネットワークに用いられているアルゴリズムは，ノイマン型アーキテクチャを用いた，現在の最先端のコンピュータ・システムにおいても，膨大は計算処理を必</p>

    DOI Web Site Web Site 参考文献6件

  • デジタル画像の長期保存用ストレージとしての半導体不揮発性メモリの可能性　─その現状と課題─

    小林 敏夫 日本写真学会誌 81 (1), 18-23, 2018

    ...<p>2015年，「インターネットの父」の一人と言われるヴィントン・サーフ氏（Google副社長）は，「21世紀は将来の歴史家から忘れ去られるだろう」と述べ，今さまざまな記憶媒体に保存されている文書やデータは，消失する危機にさらされていると警鐘を鳴らした．本稿では，今後記憶媒体の主流になる可能性がある半導体不揮発性メモリの現状について紹介するとともに，超長期保管用メモリを作ることは技術的に可能であることとその...

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  • <b>ｴﾚｸﾄﾛﾏｲｸﾞﾚｰｼｮﾝ法によるｼﾝｸﾞﾙﾄﾞﾒｲﾝ金ﾅﾉｷﾞｬｯﾌﾟ電極の作製</b>

    鈴木 博也, 菅 洋志, 角谷 透, 島 久, 内藤 泰久 表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 100-, 2018

    ...近年我々は、白金のナノギャップ電極において、電極金属の結晶性を大きく改善させることで熱的安定性を増強し、600℃を超える動作温度をもつ不揮発性メモリを実現したが、ナノ材料の計測で一般的に用いられる金については、結晶性の改善を実現できなかった。この金電極での結晶性改善を、ギャップ形成によく用いられるエレクトロマイグレーション法の原理を見直すことで実現し、透過型電子顕微鏡にて構造を確認した。...

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  • 揮発/不揮発メモリ混載環境を支援する仮想記憶機構向け実行ファイル形式：OFF2Fの提案

    谷口, 秀夫 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2017 35-40, 2017-11-28

    ...近年，電源 OFF でも保存データが消失しない不揮発性メモリの研究が進んでいる．まだ実用計算機としては登場していないものの，まもなく登場が期待できる．そこで，本稿では，揮発性メモリと不揮発性メモリが混載された計算機において，仮想記憶機構が二つのメモリの特徴を生かしたプログラム実行の支援を可能にするために，新しい実行プログラムのファイル形式を提案する．具体的には，プログラムをメモリ上に配置したときのアクセス...

    情報処理学会

  • 高速不揮発メモリ搭載システムにおける永続データのためのScalaライブラリ

    明畠 利樹, 山崎 憲一 電子情報通信学会論文誌D 情報・システム J100-D (11), 907-916, 2017-11-01

    ...高速不揮発性メモリ（NVM）の開発が順調に進めば，従来のDRAMとハードディスクが全てNVMに置き換えられる可能性がある．本論文では，そのようなアーキテクチャの計算機を想定する．NVM上に置かれたデータは，電源喪失などの障害が起きても保持されるが，そのデータを再利用することは現在のプログラム言語では想定されておらず，問題が生じる．また，データ更新中に障害が起きた場合には，データが矛盾状態になるという...

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  • a-C:H薄膜を用いた抵抗変化型メモリの作製

    松堂 功介, 山里 将朗, 比嘉 晃 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2017 (0), 58-58, 2017-09-19

    ...そのため、次世代不揮発性メモリとして注目されている。一般に、ReRAMの絶縁層として金属酸化物などが多く用いられているが、本研究では、絶縁層として水素化アモルファス炭素（a-C:H）薄膜を用いたCu/a-C:H/Pt/Si 素子を作製し、その電気的特性について報告する。</p>...

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  • ビアスイッチFPGAにおけるスニークパス問題のSAT符号化を用いた検証

    土井, 龍太郎, 橋本, 昌宜 DAシンポジウム2017論文集 2017 3-8, 2017-08-23

    ...従来 FPGA の性能ボトルネックである SRAM 型スイッチを，不揮発性メモリの一種であるビアスイッチで置換した FPGA に関する研究 ・ 開発が行われている．ビアスイッチ FPGA は縦と横に走る信号配線の交点にビアスイッチを配置したクロスバー回路により配線接続の切り換えを実現する．しかし，スイッチのプログラミングに共用の信号配線を使用するため，回路のプログラミング状態によっては，プログラミング...

    情報処理学会

  • 不揮発性メモリを対象とした低書き込みメモリ暗号化手法

    多和田, 雅師, 柳澤, 政生, 戸川, 望 DAシンポジウム2017論文集 2017 122-126, 2017-08-23

    ...近年，不揮発性メモリの動作メモリとして活用が期待されている．動作メモリから情報を盗み出されることを防ぐためにめメモリ内に格納する情報を暗号化する需要がある．情報は暗号化されると乱雑性が高くなるため書き込み量が多くなり，結果として不揮発性メモリの耐久性が下がる．本稿では不揮発性メモリ暗号化と書き込み量削減を両立させる手法を提案する．データを格納する際にワードレベルで乱数文と排他的論理和をとり暗号化し，...

    情報処理学会

  • B20型MnSiのスキルミオン相における非線形ホール効果

    横内 智行, 金澤 直也, 吉川 明子, 森川 大輔, 柴田 基洋, 有馬 孝尚, 田口 康二郎, 賀川 史敬, 十倉 好紀 日本物理学会講演概要集 72.1 (0), 1231-1231, 2017

    ...<p>近年、強磁性磁区に代表される磁気構造の制御を電流により行う不揮発性メモリの研究が盛んにおこなわれている。その中でスキルミオンと呼ばれる渦状の磁気構造は、駆動に必要な電流密度が強磁性磁区に比べて小さいことから、省エネルギーな不揮発性メモリへの応用が期待されている。本発表ではスキルミオンの電流誘起ダイナミックスにより非線形ホール効果が生じることを報告する。</p>...

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  • γ-Li3PO4/金属界面におけるLiイオン欠陥生成に関する第一原理計算

    清水 康司, Liu Wei, 渡邉 聡 表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 84-, 2017

    ...不揮発性メモリの新構造として最近Au/Li3PO4/Liが検討されている。このデバイスでは、電圧印加により保持電圧の制御が可能であることが知られている。また、界面近傍におけるLiイオン分布の変化が重要であることが分かっている。...

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  • γ-Li<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>/Au(111)界面近傍におけるLiイオン分布の解析

    清水 康司, Liu Wei, 笠松 秀輔, 南谷 英美, 渡邉 聡 日本物理学会講演概要集 72.1 (0), 2509-2509, 2017

    ...<p>不揮発性メモリの新構造としてAu/Li_3_PO_4_/Liが最近検討されている。このデバイスでは、電圧を印加することにより保持電圧の制御が可能であることが知られている。また、界面近傍におけるLiイオン分布の変化が重要であることがわかっている。...

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  • 次世代高性能不揮発性メモリReRAM の研究開発

    木下, 健太郎 鳥取大学大学院工学研究科／工学部研究報告 47 33-38, 2016-12-26

    筆者は, 半導体メモリ素子の微細化・高性能化の限界の壁を打ち破り, 半導体業界に漂う停滞感を払拭したいという強い思いを持って, 次世代メモリの研究開発に様々な角度から取り組んできた. 次世代メモリとして期待される抵抗変化型メモリReRAMの高性能化及び抵抗変化機構の解明から, 新規高速抵抗スイッチング現象の発見, 固液融合型高性能メモリの提案といった, …

    機関リポジトリ

  • I/O Viewの一貫性を保証する高速ストレージ向けチェックポインティング

    小林, 直登, 山田, 浩史 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2016 9-19, 2016-11-21

    ...チェックポイント・リスタートは，アプリケーションの進行状況を後から再開可能なメモリイメージとして保存することで，耐障害性向上を達成する．近年のPCIeフラッシュや不揮発性メモリなどの高速ストレージの登場は，従来のチェックポイント・リスタート機構を見直す機会を与える．こうした高速ストレージを用いれば，従来の低速なディスクを仮定している機構に比べ，より高頻度にかつよりリッチな情報を組み込んだチェックポイント...

    情報処理学会

  • Read/Writeレイテンシの違いを考慮した不揮発性メモリのソフトウェアエミュレータ

    小柴, 篤史, 広渕, 崇宏, 高野, 了成, 並木, 美太郎 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2016 28-34, 2016-11-21

    ...STT-MRAMなどの不揮発性メモリ(NVM)は，従来のDRAMに替わる次世代の高性能メモリとして注目されている．NVMの特性を活用したメモリ管理手法やアーキテクチャの研究が進められている一方，実際に製品化されているNVMは少ないため，評価にはサイクルレベルのシミュレータを用いることが一般的である．しかし従来のシミュレータは長い実行時間を要するため，大規模なアプリケーションやオペレーティングシステム...

    情報処理学会

  • リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減

    多和田, 雅師, 柳澤, 政生, 戸川, 望 DAシンポジウム2016論文集 2016 (31), 163-168, 2016-09-07

    ...近年 IoT デバイスの普及に伴いノーマリーオフ可能な不揮発性メモリの需要が高まっている．特に 1 個のメモリセルに複数の状態を割り当てるマルチレベルセル不揮発性メモリが主流である．マルチレベルセル不揮発性メモリは書き込み耐久性が低いという問題がある．この問題を解決するため誤り訂正符号に基づくメモリ冗長化を考える．情報をメモリセルをに書き込むとき，冗長化されているため書き込み方のパターンが多くなる．...

    情報処理学会

  • TAKAO：高速不揮発メモリ構成下における永続データのためのScalaライブラリ

    明畠, 利樹, 山崎, 憲一 情報処理学会論文誌プログラミング（PRO） 9 (2), 5-5, 2016-05-24

    ...近年，高速不揮発性メモリ（NVM）の性能が向上しており，将来的には従来のDRAMと同等のアクセス速度になると考えられている．本発表では，既存のハードディスクとDRAMがすべてNVMに置き換えられることを想定する．その場合，メモリ上のデータはそのまま保持されるが，それだけではデータの永続化は実現できない．本発表で提案するライブラリTAKAOは，NVM上での永続データのためのライブラリであり，2つの機能...

    情報処理学会

  • 縦方向への積層技術を用いた低コスト高速半導体不揮発性メモリの設計法

    渡辺, 重佳 第78回全国大会講演論文集 2016 (1), 3-4, 2016-03-10

    ...現在縦方向への積層技術を用いた低コスト半導体不揮発性メモリである3D　NANDフラッシュメモリの開発と製品化が進められている。本論文ではこの縦方向への積層技術を用いたフラッシュメモリには無い高速特性を実現できる低コスト高速半導体不揮発性メモリの設計法について述べる。その中でも今後にロジック回路への展開も期待できる特性を備えているFeRAM方式とMRAM方式について発表する。...

    情報処理学会

  • 半導体メモリの変遷と今後の展望

    舛岡 富士雄 電気学会誌 136 (1), 34-37, 2016

    1．はじめに　今回，「半導体メモリの変遷と今後の展望」を取り上げた企画の意図は，我々人類の驚異的な発展は，半導体技術の発展に依存するところが大きいということである。例えば現在の家庭電器製品では，冷蔵庫，湯沸かし器，炊飯機，お風呂の湯沸かし器，すべてマイコンで制御されてい

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  • Emerging Biz デバイス ゲームチェンジ狙うIntel 新型メモリーで差異化目指す

    日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1160) 87-90, 2015-10

    ...Intel社が発表した不揮発性メモリー技術が、「3D　XPoint　technology」だ1）。メモリーへのアクセス時間がNANDフラッシュの1／1000の数十nsとDRAM並みに高速で、メモリーセルの密度がDRAMの10倍と大きく、高速で高密度のストレージメモリーを実現できるというものだ。Intel…...

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  • ブロックストレージとの組合せによるメモリストレージ容量拡張手法

    追川, 修一 情報処理学会論文誌. コンピューティングシステム（ACS） 8 (2), 15-24, 2015-06-16

    ...フラッシュメモリよりも記憶デバイスとしての性能がはるかに高いMRAM，PCM（phase change memory），ReRAMといった次世代不揮発性メモリ（NVメモリ）の実用化が進んでおり，これらのメモリを用いたSSDの研究開発も行われている．NVメモリのなかでもMRAMは，DRAMに相当する性能と耐久性を持つという点で優れているが，集積度では劣っているため，ストレージの主体デバイスとしての用途...

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  • ゴミ集めの機能を応用した不揮発性メインメモリへの書き込み抑制手法の実装と効率改善

    中川, 岳, 追川, 修一 情報処理学会論文誌プログラミング（PRO） 7 (5), 13-13, 2014-12-05

    ...次世代の不揮発性メモリはバイトアクセス可能であり，計算機の主記憶として 利用可能である．主記憶が不揮発になることで，主記憶と2次記憶を融合することが可能になる．これにより，CPUから永続的なデータに直接アクセスが可能になり，I/Oのオーバヘッドを削減することができる．しかしながら，現時点では単体で主記憶を構成可能なNVMは登場していない．そのため，これまで，少量のDRAMと相変化メモリ（PCM）を組...

    情報処理学会

  • ブロックストレージとの組み合わせによるメモリストレージ容量拡張手法

    追川修一 コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2014 63-70, 2014-11-12

    ...フラッシュメモリよりも記憶デバイスとしての性能が遙かに高いMRAM，PCM (phase change memory)，ReRAMといった次世代不揮発性メモリ（NVメモリ）の実用化が進んでおり，これらのメモリを用いたSSDの研究開発も行われている．NVメモリのなかでもMRAMは，DRAMに相当する性能と耐久性を持つという点で優れているが，集積度では劣っているため，ストレージの主体デバイスとしての用途...

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